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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：USBメモリのベンチマークについて）
USBメモリのベンチマークについて
このQ&Aのポイント
- USBメモリのベンチマークにおいて、ランダム性能がシーケンシャル性能よりも遅い理由について
- フラッシュメモリの読み書き方式によって、ランダム性能がシーケンシャル性能より遅くなる現象が発生する理由について
- USBメモリのベンチマーク結果において、ランダム性能とシーケンシャル性能の極端な差がある理由について
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質問者が選んだベストアンサー
ランダムアクセスではフラッシュメモリのコントローラによる並列アクセスが効きませんから。 例えば10チャンネル並列でシーケンシャルの速度を稼いでるUSBメモリなら、ランダムにされるとそれだけで理論上の速度は1/10です。並列アクセスと内蔵のバッファメモリとで隠蔽できていたメモリセル読み書きの応答待ちを含めたら1/100とかでも普通にあり得る範囲と言うことで。
お礼
元々超遅い素性であるフラッシュメモリを 高速にするために以下の処理をしているわけですね 多数の並列処理 バッファ コントローラによる先読み そうするとランダムアクセスの処理性能が元々のフラッシュメモリの裸の性能に近いことになるのですね