MOSFETのゲート酸化膜（SiO2）の結晶構造について

質問

私は、MD法でSiO2のエッチングシミュレーションをしようとしている学生です。
実際にMOSFETで使われているものの結晶構造を用いたほうがよいと思うのですが、調べ方がわかりません。
半導体メーカーの公開している資料などがありましたら、教えていただけますか？
また、CVDにより作製したSiO2の結晶構造や、それのラマン分光による分析結果があれば（ポテンシャルの調整のために）とても役に立つのですが、もし知っていたら教えていただけないでしょうか。お願いします。

回答No.1

TEOS · ベストアンサー

ウエハー等にエッチングした物を結晶構造見るのは、断面を電顕写真で
見るのが良いのかな？？　エッチングした物を削り取り、溶剤に溶かし
シリコンＮＭＲ採るのが良いのだろうか？？
ＣＶＤ自分でしたことが無いから。　ＩＲも採れないよね。
半導体メーカー、文章のみの文献で、測定結果付きの資料は出してない
気がします。　有っても売り込みたいメーカーのみにパスワード付きで
公開してます。
私の会社でも、ログインしないと見れない文献有りますからね。
外部（社外）からログインすると、誰が見たのか監視してるみたい？

あまり参考にならないね？

お礼

測定結果付きの資料は見ることができないのですね。
アモルファスにも、CVDで作ったのと、そうでないのとでは結合の仕方やその割合が違うと思ったのですが、商品のデータが見れないのでは、わかりようがありませんね。
見ることができないことがわかり、とても助かりました。
論文を検索する方向で探してみようと思います。
本当にありがとうございました。

回答No.3

nzw

MOSのSiO2ゲート酸化膜は非晶質です。
TEM写真をとると、Si基板部分は単結晶の格子像が、ゲートのポリシリ部分は色々な方位の格子像が写るのに対し、ゲート酸化膜部分には格子像が見られません。
　ちょっと見にくいですが、以下のサイトの写真でもわかるかと思います。
http://jp.fujitsu.com/group/fql/services/analysis/method/tem/

　SiO2酸化膜（最近はNを混ぜていると思いますが）は、非晶質であるため
その上に単結晶Siをエピタキシャル成長することが出来ません。これが
SOI構造をつくるために、酸素注入（SIMOX法）や張り合わせなど面倒な
ことが必要になる理由です。

論文については、以下の回答にあげたサイトで調べてみてください。
たぶん、APLとかThin solid filmsとか、IEEE系あたりでみつかると
思います。

http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=2031072

お礼

丁寧な説明をしていただき、ありがとうございます。
MSTの二酸化ケイ素（SiO2）の構造解析
http://www.mst.or.jp/010317.html
を参考にしようかと思います。
また、論文でも引き続き、CVDでつくった酸化膜のラマン分析結果を探そうと思います。
ありがとうございました。

回答No.2

leo-ultra

シリコン素子に使われるSiO2って結晶じゃなくて非晶質なんじゃないのですか？
それとも僕の知識は古いのでしょうか？

先日、たまたま知り合いの紹介で、某大学の教授でシリコンデバイスのシミュレーションをやっているという先生とお会いしました。たまたま帰る方向が同じだったので電車で2人だけでお話しました。その先生もSiO2がさも結晶のようなことを言っていました。非晶質じゃないのですかって聞いたら、そんなはずはないと否定されてしまい、そこで「王様は裸だ」とも言えず、話題を変えてしまいました。

あれ、僕の勘違い？　SiO2ってアモルファスじゃないの！

お礼

（先生の名誉のために）私の先生は、アモルファスだろうといっていたのですが、やはり確認を取りたかったのと、アモルファスにも作り方によっていろいろ違うらしいのです。
私の質問に答えていただいて、本当にありがとうございます。