GaAsのNH4OH + H2O2エッチング

質問

GaAs基盤をNH4OH(水酸化アンモニウム) + H2O2(過酸化水素)の水溶液で
エッチングするとき、どのような反応が起こっているか教えてください。お願いします。できれば化学反応式なんかも教えていただければ幸いです。

回答No.2

inara

もし英語が苦手でよく分からないときは、この質問を締め切らないで、「回答へのお礼」で分からない箇所を質問して、この質問をずっと開いておくことをお薦めします。もちろん私が回答（翻訳）します。

回答No.1

inara

元・化合物半導体プロセスエンジニアです。
上記エッチャントは、(100)基板にＶ溝を形成したり、AlxGa1-xAs (x>0.3)との選択エッチングに使った経験があります。

そのものズバリの文献（学位論文）があります[1]。182ページの大著で、しかも英語ですが、勉強のために是非読破してください。ご質問の部分は以下の節に書いてあります。ページ数が多くて探すのが大変そうなのでページ数を併記しておきました。1.2節（GaAsプロセスにおけるウェットエッチングの使用例：PDF 20ページ）も参考になるかと思います。

２章　以前の研究（PDF 31ページ）
　　2.1　GaAsのウェットエッチング液
　　2.2　エッチング反応の研究
　　　　2.2.1　エッチングメカニズム（PDF 35ページ）
　　　　2.2.2　H2O2-NH4OH-H2O2でエッチングされたGaAsにおけるエッチング液濃度とそれ以外の要素（PDF 38ページ）
　　2.3　H2O2-NH4OH-H2O2を用いた異方性エッチング(PDF 40ページ）
　　2.4　エッチング速度限界(PDF 45ページ）
　　2.5　エッチングされたGaAsの表面分析(PDF 51ページ）

[1] H2O2-NH4OH-H2O溶液におけるGaAsのエッチングメカニズムの動力学的研究　http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk2/ftp03/NQ29898.pdf

お礼

ありがとうございました。さっき論文をダウンロードしたばかりでまだちょっとしか見ていないのですが、私の知りたい内容が書かれていると思います。これから早速読んでみます。指定していただいたページ以外も読んだほうが勉強になりそうですね。