いろいろホームページを探したのですがなかなか無いですね。
かなり長くなりますが・・・
まず、現在のCMOSはMOS-FETというトランジスタから構成されます。
そのトランジスタはP型トランジスタ、N型トランジスタの2種類があり、
これを直列または並列につなげることによって一つのゲートが作られます。
ゲートというのはインバータやAND、OR回路です。
P型トランジスタは、ゲート端子に0Vを印加すると
P+とP+の間にP-chができて導通します。
N型は5Vを印加するとN+とN+の間にN-chができて導通します。
P-chをつくるのは、基板となるSiがN型である必要があり、
逆にN-chはP型である必要があります。
現在のCMOSロジックLSIではP型トランジスタとN型トランジスタを組み合わせて
ゲートを作るため、Si基板を2つ用意しなければならないという状況に陥ってし
まいます。現状、寄生ダイオードが出来てしまう関係で、P基板を使うのが
主流となっています。しかし、P基板を使うとなると、P型トランジスタの形成
が出来なくなります。ここで、N-Wellという溝を掘って、N基板があるように見
せかけるのです。
このようにしてP型、N型の両トランジスタを両立できるようにしてます。
図があるとわかりやすいのですが、言葉であらわすとこんな感じです。
P、P+、N、N+は、下の方の回答のように不純物の濃さを表します。
P、Nが付けば、それは半導体です。
P-Well、N-Wellは電気の流れから見ればダイオードの逆方向の向きになるよう
作りこみますから、絶縁物と言っても良いかもしれません。