半導体レーザーの解析方法について

質問

半導体レーザーの解析をしたいと考えております。
構造は、D:1100μm　W:200μm　H:約110μmのチップです。
故障レーザーチップ内部(レーザーが発光する部分)の構造を確認したのですが、これまで実施した実績がなく、解析方法についてご存じの方がいらっしゃれば、ご教授頂けないでしょうか。

LDの構成は、下記となっております。
?基台　?n-AlGaAs層　?n-GaAs層　?GaAs層（基台）?n極（Au）
(?と?の間に発光層があります）
?の層を平面で観察したいと考えております。

GaAsなので、薬品でのエッチングは難しそうなのですが。

回答No.1

noname#230359

質問の内容からしすると平面観察は無理ですね。
層の厚さとエッチレート比から考えて加工歩留が取れないでしょう。

質問の内容からはどういう解析をしたいのか不明だしね。

断面解析なら簡単にできるのに。