スパッタリング法のターゲットについて

質問

現在、スパッタリング法を使用してSi膜を作製しようとしています。
使用している装置は４インチのターゲット用です。
しかし、4インチのSiターゲットがないので3インチのウェハ（t=0.5mm）をターゲットとして使用しています。
そのため、バッキングプレート（材料：銅）の上に3インチの銅の土台(t=5mm)をおき、その上にウェハをのせて製膜しています。
製膜した膜には、銅がかなり膜中に混入してしまい、Si膜ができません。
この膜中の銅はバッキングプレートの銅だと思うのですが、
銅が膜中にはいらないようにするにはどうしたらよいでしょうか？

ちなみに銅と銅の接着と銅とSiの接着はインジウムを使用しています。
接着の際インジウムは少量しか使用していません。

回答No.3

noname#230359

たぶん「４インチのシリコンウェハ」を使った方が安上がりでしょう。
そうでなければ、普通に装置メーカーに相談されるのが宜しいかと。
書き込みの様子から実験用途の様に思えますが・・・

#2の方が仰るように「マグネトロンスパッタ」であるかどうかを
確認してください。と言うか通常はマグネトロンスパッタでしょうが・・・
パッキングプレートの裏に磁石が仕込んであると思います。

で、４インチの広い範囲をスパッタする様な磁場回路（磁石の配置）が
組んであるはずなのでこれを３インチ用に替える必要があります。
この磁石の配置や使う磁石の種類は装置メーカや成膜メーカーのノウハウ
なので、装置を見ないと簡単に替えられる構造かどうかは分かりかねます。

その上で#1の方が仰るようにアノードを「ターゲットの外周の銅を囲う」
ような形状で作成した方がよいでしょう。

改造費を含めて装置メーカとご相談された上で検討した方がよいでしょう。

回答No.2

noname#230359

ついでに。ヒント。
マグネットを使っていますね？それが変えれたら大分変わるでしょう。

回答No.1

noname#230359

ターゲットを正面から見た場合に、2重丸の形でバッキングプレートが出ているのでしょう？
そりゃ無理です。
温度条件は知りませんが、耐熱性の高い絶縁物で覆い、且つ、
Siターゲットより低くするべきでしょう。
丸いターゲットの経験はありませんが、アノード棒（電極）って知っていますか？
そういったもので放電を制御する事も考えられます。
こういった技術は各社の機密なので、これ以上は書籍や大学の資料などで研究してください。