ドレインソース間ON抵抗

質問

MOSFETの特性として「ドレイン・ソース間ON抵抗」というものがありますが、これは、消費電力の計算にかかわるものでしょうか?

ON抵抗値が小さいものほどよいのでしょうか?

ON抵抗に関して、消費電力以外の留意点がありましたらよろしくお願いいたします。

回答No.1

bogen555 · ベストアンサー

消費電力とゆうのは、MOSFETの損失のことでしょうか？
それならば「オームの法則」から
（損失）＝（ドレイン電流）＾２×（ドレイン・ソース間ON抵抗）
になります。
ただし、この損失は「定常損失」と言って、ONしているときの損失です。
高頻度でスイッチングしているときは、ON⇔OFFの過渡期間の損失が無視できず、その損失を「過渡損失」と言います。
「過渡損失」はCMOS-ICと同じで、近似的に
（過渡損失）＝（寄生・浮遊容量）×（ドレイン・ソース間電圧）＾２×（スイッチング周波数）
となります。
スイッチング周波数が数kHz以下で低いときは「定常損失」が支配的なので、ON抵抗値が小さいものほど損失は少なくなります。
スイッチング周波数が数10kHz以上で高いときは「過渡損失」が支配的なので、寄生容量が小さいものほど損失は少なくなります。
一般に、ON抵抗値が小さいものほど寄生容量が大きいので、スイッチング周波数が高いときは寄生容量が少ないものを選びます。

お礼

詳細な回答ありがとうございます。

- 定常損失
- 過渡損失
- それぞれの支配的な領域
- スイッチング周波数が高い時の選択
色々勉強になりました。