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太陽電池セルにおける逆バイアス印加時の量子効率の測定
薄膜太陽電池の外部量子効率の評価を行っております。 接合内でのキャリア再結合による損失の影響を調べるために 逆バイアスを印加した状態での量子効率の測定を試みています。 一定の逆バイアス(例えば-1V程度)を印加しながらスペクトルを測定したいのですが、この場合光照射時に生ずる起電力は無視して大丈夫なのでしょうか。 つまり、起電力を分をプラスして逆バイアスを印加する必要があるのか、 ということです。 それとも短絡状態で光電流を測定することになるので起電力は生じない、すなわち単に一定の逆バイアスをかけ続ければよいと考えてもいいのでしょうか?
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- inara1
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お礼
お礼が遅くなり申し訳ありません。 大変わかりやすい内容でクリアになりました。 ありがとうございました。