複数の素子に対するヒートシンクの選定について

質問

発熱の異なる半導体（FETと整流ダイオードなど）を、
1つのヒートシンクに取り付ける場合、
必要熱抵抗の計算はどのようにするのでしょうか？

単純に消費電力を合計すればよいのでしょうか。

ご存知の方、教えていただければ幸いです。

回答No.2

noname#230359

公式のようなものを目指そうとするとハードルが高いので，
今回設計したい案件の条件を教えてもらえませんか。
欲しい値は，各半導体素子の消費電力，各半導体素子のジャンクション温度
（設計値），各半導体素子のジャンクション－ケースの熱抵抗値です。
具体的に計算してみたいと思います。

お礼

有難う御座います。
初めてで勉強しながら、でしたので参考にさせて頂きます。

使用素子はスイッチング用IGBTモジュール、三相整流ダイオードです。
IGBTモジュール
消費電力（4素子合計）IGBT部：193.12　FWD部：55.92
　 Tｊ　120℃（max150℃）
　 Rthj-c IGBT部：0.28 FWD部：0.4
Rthc-f 0.07

ダイオードモジュール
　消費電力　推定45*6素子=270（損失は計算中です）
　 Tｊ　120℃（max150℃）
　 Rthj-c 0.24
Rthc-f 0.06

機器全体の消費電力　約330Ｗ

となります。現状ではこれを一つのヒートシンクにつけ、
局所吹き付けファン＋筐体換気ファンを考えています。

回答No.1

noname#230359

毎度ＪＯです。
各素子のジャンクション－ヒートシンク間の熱抵抗と各素子の発熱量から計算出来そうです、
各素子のジャンクションでの発熱は、ヒートシンクで合流する事になります。
FETと整流ダイオードであれば、ジャンクション－ヒートシンク間の熱抵抗は大差ないと思われます。

ぎりぎりの設計をするのでは無く、ジャンクション温度に余裕の有る設計なら、
各素子のバラつきは無視して、消費電力を合計してヒートシンクと周囲温度から計算してもかまわないと思われます。

お礼

丁寧なご回答有難うございます。
それほど大がかりなものではないと思いますので、消費電力は合計で
一度試してみたいと思います。