トライアックの評価方法について

質問

トライアックの臨界オン電流上昇値(di/dt)の評価方法を調べています。
色々と調べていますがＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴと比べて、トライアックの情報が少なく困っています。
サイリスタのdi/dtの評価方法については、幾つか見つけたのですが、
同じと考えてよいのでしょうか？
評価回路・方法等について知っている方がおられましたら教えてください。

回答No.1

noname#230359

サイリスタと同じ方法で評価して宜しいかと思います。

注意点としては，主電流の流れる方向（Ｔ１→Ｔ２／Ｔ２→Ｔ１）とトリガ電流の流れる方向（Ｇ端子に流れ込む方向／流れ出す方向）の組み合わせによって特性（耐量）が異なるので，２×２＝４通りの評価が必要なことです。使い方（トリガのかけ方）が決まっていれば，主電流の方向に対して，それぞれ一方向のトリガ極性となると思いますので，２通りの評価でＯＫです。

お礼

親切に教えて頂きありがとうございました。
また、よろしくお願いいたします。