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未だに分からない自己バイアス回路
どうして入力抵抗と自己バイアス抵抗の位置がTr(FET)の場合と真空管の場合と違うのか分かりません。どなたか簡単に説明していただけにでしょうか。宜しくお願いします。 ・Tr(FET):入力抵抗⇒自己バイアス抵抗の順番 ・真空管:自己バイアス抵抗⇒入力抵抗の順番 私は長年、石アンプを自作していましたがので、入力抵抗⇒自己バイアス抵抗が正しい。 と思っていましたが...
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どうして入力抵抗と自己バイアス抵抗の位置がTr(FET)の場合と真空管の場合と違うのか分かりません。どなたか簡単に説明していただけにでしょうか。宜しくお願いします。 ・Tr(FET):入力抵抗⇒自己バイアス抵抗の順番 ・真空管:自己バイアス抵抗⇒入力抵抗の順番 私は長年、石アンプを自作していましたがので、入力抵抗⇒自己バイアス抵抗が正しい。 と思っていましたが...
お礼
ご回答有難うございます。 最初の質問以外は、ご指摘の図に追記してUPできませんので、書面でご連絡します。 ・図左3極管:Rinの後に直列の入力抵抗経由でゲートに入力されている。 ・図右FET:Rinの前に直列入力抵抗があり、ピンジャックに接続される。 と言うのが一般的な回路の様で、図右FET回路では入力側に直列抵抗を付けることで、Rinに並列接続を行ったCによりLPFが形成される。(発振防止) 以上宜しくお願いします。