アンプ自作していますが、

質問

アンプを作っていますが、うまくいきません。
回路図です。
http://www.rupan.net/uploader/download/1376409295.asc
スパイスですが、動きました。

ＭＯＳＦＥＴを使っています。
どうも、ノイズがひどく片方(2)は、ノイズがなるときとならないときがあります。電源入れてある程度するとノイズ出てきたりします。増幅はされ音はなります。
もう片方(1)は、ＦＥＴが熱を持ちすぎます。音は出ません。
基盤の写真です。
http://www.rupan.net/uploader/download/1376409467.zip

ＵＲＬですが、直接飛ぶとエラーが出るようなので、
右クリック等で、コピーして貼り付けて飛んでください。
飛ぶとすぐＤＬできると思います。

すでにＦＥＴ５つほど壊しました、
端子間がショートしているのは、故障ですよね？
電圧計るにも怖くて、電源を入れていられません。また壊しそうです。
電源入れずに抵抗値を計ってがんばっていますが、半導体があり難しいです。
テスターと、オシロスコープ（アナログ古いですが）あります。
トランスを使う予定ですが、
とりあえず家にあったＡＣアダプタを使っています。トランスでは５０ｖを二つで両電源使う予定です。
が、ＡＣアダプタは手持ちがないため、１２Ｖと２４Ｖで正負電源を作っています。
電圧が違いますが、音だし程度なら大丈夫ですか？
とりあえず困っています、どうにか助けてください。
先ほどＦＥＴを壊してしまい頭を抱えています。
よろしくお願いします。

回答No.16

xpopo

＞＞正常に動いてるようですね。入力からドライバの出力までのゲインと出力インピーダンスをLTSpiceでシミュレーションした結果（　http://yahoo.jp/box/RWWJC9　を参照ください）からゲインは８０ｄB～８７ｄBと非常に大きい事がわかります。こんなにゲインが大きいのでドライバ出力は最大か最小の電源電圧へ張り付いてしまうのは容易に想像できます。

＞電圧が張り付いてしまうとのことですが、これで正常なんですか？

　ゲインが８０ｄB以上もあるわけですから全体で数ｍVのオフセットがあるだけで６５Vくらい出力が動いてしまいます。確認された状態ではぎりぎりで出力が＋６５Vくらいに振れてるんだと思います。入力にケーブルが接続されていてそのケーブルの先でGNDに落とされてると少々のノイズも入ってくる可能性があります。そのノイズで出力がマイナス方向に振れてる、あるいはQ5、Q6は１チップではありませんからそれぞれのチップの温度も微妙に違ってると思います。VBEは１℃違うだけで２ｍV程度の差がでます。また、初段のJFETのVGSのオフセットも温度で微妙に変化しますので初段JFETのオフセットのドリフトも考えられます。ゲインが高いためこれらの微小な変化も出力変動として大きく現れてしまいます。したがって、正常だと考えられます。
　残りの出力のドライバー段を組んでフィードバックループを閉じてトータルゲインを３０ｄBに落としてまえばこれらの変動は差分の５０ｄBによる効果で全く出力に影響しなくなります。

回答No.15

xpopo

今日は。

NO.14へのコメント（下記）についてコメントします：

＞差動部だけでの動作確認ですが、ペアの件ですが訳あり２ＳＫ１７０をペアを使いました。
＞スパイス状と大体同じ電圧が出たため、次のステップに進みました。
＞しかし
＞http://uproda.2ch-library.com/lib704448.asc.shtml
＞
＞これで
＞Ｑ８のコレクタと、Ｑ６コレクタ、Ｑ６から抵抗をはさんだドライバへの出力部の電圧が最大＞で６７ｖほどあり、測定中も
＞４８ｖぐらいから６７ｖあたりで頻繁に動いています。たまにマイナス領域にも行きます。
＞最終的な出力用のソース抵抗を、クリップつきのケーブルでＧＮＤに落としています。
＞また、信号入力用のケーブルもクリップでショートしています。
＞
＞ほかは大体スパイスでの電圧です。
＞よろしくお願いします。

　正常に動いてるようですね。入力からドライバの出力までのゲインと出力インピーダンスをLTSpiceでシミュレーションした結果（　http://yahoo.jp/box/RWWJC9　を参照ください）からゲインは８０ｄB～８７ｄBと非常に大きい事がわかります。こんなにゲインが大きいのでドライバ出力は最大か最小の電源電圧へ張り付いてしまうのは容易に想像できます。
　やはり、初段のFETは壊れていたみたいですね。2SK170はPdmaxが400mWなのでこちらなら壊れる心配は無いでしょう。
　これで、あとは後段の回路を繋いで確認ですね。

お礼

回答ありがとうございます。

＞正常に動いてるようですね。入力からドライバの出力までのゲインと出力インピーダンスをLTSpiceでシミュレーションした結果（　http://yahoo.jp/box/RWWJC9　を参照ください）からゲインは８０ｄB～８７ｄBと非常に大きい事がわかります。こんなにゲインが大きいのでドライバ出力は最大か最小の電源電圧へ張り付いてしまうのは容易に想像できます。

電圧が張り付いてしまうとのことですが、これで正常なんですか？

回答No.14

xpopo

回答NO.13です。
回答NO.13の訂正を下記に示します。

２）の「J2のエミッタ抵抗R6」は「J2のソース抵抗R6」に
３）の「J1のエミッタ抵抗R5」は「J1のソース抵抗R5」に

以上

お礼

こんにちは、遅くなりました。

差動部だけでの動作確認ですが、ペアの件ですが訳あり２ＳＫ１７０をペアを使いました。
スパイス状と大体同じ電圧が出たため、次のステップに進みました。
しかし
http://uproda.2ch-library.com/lib704448.asc.shtml

これで
Ｑ８のコレクタと、Ｑ６コレクタ、Ｑ６から抵抗をはさんだドライバへの出力部の電圧が最大で６７ｖほどあり、測定中も
４８ｖぐらいから６７ｖあたりで頻繁に動いています。たまにマイナス領域にも行きます。
最終的な出力用のソース抵抗を、クリップつきのケーブルでＧＮＤに落としています。
また、信号入力用のケーブルもクリップでショートしています。

ほかは大体スパイスでの電圧です。
よろしくお願いします。

回答No.13

xpopo

今晩は。

＞とりあえずＭＯＳＦＥＴやトランジスタを取り外し
＞差動で動作させました。
＞http://kie.nu/1ioC
＞
＞しかし、帰還側の出力が高く、かつ７５Ω付近の電圧がおかしいです。
＞http://kie.nu/1ioA

　確かにおかしいですね。
１）まず、Q1のコレクタ電圧が電源電圧に張り付いてます。ということは抵抗R2には電流が流れていない。したがってJFET　J2はカットオフの状態になってると思われます。
２）また、差動対のJFETのJ2のエミッタ抵抗R6の端子電圧からJ2のソースへR6から電流が(5.17V－5.1V）／75Ω≒1mA流れ込んでます。ただしこれはR6の両端の電圧が正しい場合です。もしかしたら測定誤差かもしれません。いずれにしてもJ2のドレイン－ソース間には電流が流れていないと考えられます。
３）Q2のコレクタ電圧が62.8Vなので抵抗R1には（69.8V－63.8V）／1500Ω＝4mA流れてます。また、JFET　J1のエミッタ抵抗R5の端子電圧からJ1のソースからR5へ（5.45V－5.17V）／75Ω＝3.73mA流れてることが分かります。結果、J1のドレイン－ソース間には約4mAの電流が流れていると考えられます。

　まず、上記の１）と２）からJ1のD-S間にはほぼ定電流回路で設定されている電流、約4mAが流れているがJ2のD-S間には電流が流れていない状態のようですね。

　次に、J1のゲート－ソース間電圧VGSは　VGS＝150mV－5.45V＝－5.3V　になってます。2SK30の仕様から見るとこれは異常です。ドレイン電流IDが4mA流れる条件はGRランクの場合少なくともVGSは－0.6V以上必要になるはずですが、それが－0.6V以下の-5.3Vもある状態です。これはJ1が壊れていると見て間違いないでしょう。
　一方、J2についてはVGSは　VGS＝25mV－5.1V＝－5.075V　で、この状態でIDS＝0ですので正常に見えます。しかしゲート電圧が25mVもあります。J2のゲートは抵抗R19(7500Ω）でGNDに落とされてますのでゲート電流IGは　IG＝－25mV／7500Ω＝－3.33uA　も流れてることになります。ゲート・ドレインしゃ断電流IGSSの測定条件よりはゆるい状態ですので仕様の最大-1.0nAの3桁以上大きな値になっているのは異常です。J2も壊れてしまってるかもしれません。

　それから気がついたことですが、J1とJ2の電力損失が2SK30の許容損失PDの100mWに対してIDが最大になった場合PD=4mA×26.1V＝104.4ｍWと許容損失を超えてしまいます。70mW程度に抑えておいたほうが良いと思います。抵抗R4とR3の分圧電圧を現状26.7Vを18Vくらいまで落としておいたほうが良いと思います。
　それから、FETの選別は必要です。なぜなら、差動回路の共通ソース電流が４ｍAに設計されてます。これはバランス状態でJ1とJ2のIDがそれぞれ2mA流れます。GRランクではIDSSは2.60mA～6.50mAとバラツキますので下限の2.60mAに近いものがきた時IDが0.6mA増加しただけでIDは飽和してしまいます。ゲート－ソース間をショートして10V（理想ですが５Vでも可）をドレイン－ソース間に印加してIDSSを選別してください。これは絶対お勧めです。

回答No.12

xpopo

まず、整流用のダイオードは容量の大きなダイオードブリッジを御使用という事で了解しました。
またトランスの2次側電圧は仕様から1次側115Vrms時に55VということですのでAC100V入力時に48Vrmsということですね。LTSpiceの電源のAC電圧にはこの√２倍の67.9V(0-p）を使ってください。

　次にQ9の件ですが両方のFETを外した状態ということですね。了解しました。
こちらでも同じように両方のFETを外してシミュレーションで確認してみましたが、Q9のベースが-6.55V、エミッタが-7.18Vと低い値になりますのでtaiki123さんの結果と異なるのが気になります。

次に
＞あとテスターの表示ですが、３００Ωと表示される場合と、０．３００ｋΩと表示される場合があります。
＞別の抵抗値を計った場合ですが、
＞同じ抵抗値を計った場合は同じ表示方法です。混合してはいないです。
＞これはどのように判断されているのですか？
＞正数での表示になる場合と、０．まるまるｋと表示される場合は何が違うのですか？

回答＞＞デジタルテスターはそんなに詳しくないですが、この場合はテスト棒を披測定物に当てた瞬間は数KΩと測定されそれが急激に下がって300Ωに安定したんじゃないですかね。

＞また表示がとまらず、少しずつ増加、もしくは減少していく場合があります。
＞このような場合はどうしたらよいのでしょうか？

測定値がドリフトしてる場合は測定開始時の値と一定時間経過後（任意）の測定値があれば十分だと思います。

次に前回の回答で整流回路の問題としてあまり詳しく回答してなかった内容について回答します。

＞またＭＯＳＦＥＴの破損が怖いので、ＦＥＴなしの状態電源を入れ測定しても大丈夫でしょうか？
＞ところどころ電圧が高くなるところがありますが、もしくはＱ５，６，７，８，９，１０をとりはずし、新品を入力のほうから徐々に測定しながら入れていくのも大丈夫でしょうか？

　FETなしの状態で電源を入れて測定しても大丈夫でしょう。この場合は両方のFETを外しておくということですね。そうするとフィードバックが無い状態になりますからQ9のベースは正または負の電圧方向に大きく振り切れると思います（オープンゲインが大きいので）それを考慮して測定結果を考慮すればある程度は追っかけられるのではないかと思います。
　あるいは「Ｑ５，６，７，８，９，１０をとりはずし、新品を入力のほうから徐々に測定しながら入れていく」のでも大丈夫だと思います。

お礼

お久しぶりです。
すいません。
部品の到着に時間がかたったり等で、遅くなりました。

とりあえずＭＯＳＦＥＴやトランジスタを取り外し
差動で動作させました。
http://kie.nu/1ioC

しかし、帰還側の出力が高く、かつ７５Ω付近の電圧がおかしいです。
http://kie.nu/1ioA

初段のＪＦＥＴは別なのに変え新品を入れてあります。
２ｓｋ３０、ＧＲです。
入力と出力の電圧を０にするため、ＧＮＤへショートさせてあります。
それ以外の電圧はＳＰＩＣＥ上とさほど変わらない値です。
これはどこかがおかしいのでしょうか？
ＦＥＴの選別をしていないため固体差等で起こることなんでしょうか？

ちなみに帰還側のＪＦＥＴは故障かと思い、一度別なの（新品）へ交換しましたが、交換後でこの状態です。

よろしくお願いします。

回答No.11

xpopo

＞まず、回路図です。
＞http://www.rupan.net/uploader/download/1377006649.asc

回答＞＞回路図のアップありがとうございました。
　回路図で非常にまずい部分があったのを見逃してました。それは整流回路です。

　１）まず、回路図で整流用ダイオードD2、D3、D4、D5に１N4148を使用してますがこのダイオード本当に使用してるのでしょうか？
１N4148は整流時の電流の最大定格は200ｍA！ですよ。数Aも流したらダイオードは破壊してしまいます。もし、実際に１N4148を使ってたんでしたら確実にダイオードは壊れてると思います。４つあるダイオードの壊れ方によっては整流出力に交流がもれてくる可能性も十分考えられます。もし１N4148を使用しているのでしたらダイオードをもっと大きな１０Aクラスたとえばブリッジですが：http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-04682/ など）に至急交換してください。

　２）整流後のリップルフィルタ用のコンデンサ
　回路図からは＋側も－側も1000uFととても小さい電解コンデンサが使われてます。オーディオアンプ用に考えれば6800uF／100Vクラス以上を使用すべきでしょう。

　３）トランス2次側の出力電圧
　ご使用のトランスの2次側の出力電圧は何Vrmsですか？もし、50Vならば、整流後のDC電圧は（トランスの2次側電圧）×1.41－VFで求まります。）VFは整流ダイオードのVFです。）VFを１．５Vとすれば、50Vｒｍｓ×1.4142－1.5V＝69V　が整流後のDC電圧になります。
トランス2次側出力電圧は何Vrmsですか？
　それから、回路図でトランスの2次側出力電圧に48Vを設定してますが、この値は0-p値ですのでrms値に換算すると約34Vになります。この値がトランスの仕様の2次側電圧に合ってるんでしょうか？

＞トランジスタの抵抗値をとりあえず計ってみました。基板上でですが、
＞Ｑ９　ＣＥ１０ｋ
＞Ｑ６　ＣＥ８ｋ　ＢＣ１．５ｋ　ＢＥ４Ｋ
＞Ｑ８　ＢＣ２００ｋ　ＢＥ２００ｋ　ＣＥ０．３８ｋ
＞ほどです。
＞数ｋΩですと微妙な値ですが、大丈夫でしょうか？
＞正常時は数ＭΩほどあります。

回答＞＞上の指摘でもし本当に整流ダイオードに１N4148を使用している場合はDCの±電源がDCではなくてAC電圧が印加されてた場合は広範囲に素子がダメージを受けている可能性があります。できれば上記トランジスタも含めてトランジスタを基板から外して確認されたほうがよろしいかと思います。

＞Ｑ１０はだめそうです。ＥＣ間で１００Ω未満でした。
＞火花が出たようなＱ６が数ｋあるのがよくわからないです。
＞Ｑ９ですが、電圧は高かったですが、ＦＥＴなしの状態でシミュレートしますと結構高めなので、
＞もしかしたら正常（電圧的には）のような気もします。

回答＞＞Q10は確かにダメそうですね。
　Q9ですが「FETなしの状態でシミュレート」って両方のFETを外した状態ですか？それとシミュレートってLTSpiceでシュミレートしたんですか？おっしゃってる意味が良く理解できません。

＞またＭＯＳＦＥＴの破損が怖いので、ＦＥＴなしの状態電源を入れ測定しても大丈夫でしょうか？
＞ところどころ電圧が高くなるところがありますが、もしくはＱ５，６，７，８，９，１０をとりはずし、新品を入力のほうから徐々に測定しながら入れていくのも大丈夫でしょうか？

回答＞＞整流用ダイオードの件がはっきりしませんと何とも言えません。

＞少し話は変わりますが、Ｑ９の電圧が６０Ｖほどと出ていましたが、これは変圧後、整流してその電圧×√２
の値でしょうか？

回答＞＞一番上の回答でも触れてますが、トランスの2次側電圧の電圧は通常実効値（rms）で表示されます。で、整流後はトランス2次側電圧のピーク値から整流ダイオードのVFを差し引いた値になります。これは、整流ダイオードが適切な電流能力のものを使用した場合です。

＞ＳＰＩＣＥですと平滑して、電源電圧４５Ｖ程度ですが、平滑後でも平滑しきれたいないため最大値の電圧をテスターが拾っていたのですか？ちなみにデジタルテスターです。
この回路の整流間違っていますか？

回答＞＞SPICEで設定しているトランスの2次側出力電圧は48V（０－ｐ）ですからその値からダイオードのVFを差し引いた値が電源電圧になりますので４５V程度になるのはうなずけます。SPICEでシミュレーションした場合は整流ダイオードは１N4148ですから、電源の電流が数AになればVFがとんでもなく大きな値になってます。実際やってみましたが、電流が４AでVFは3.25Vにもなります。ですから、SPICEシミュレーションではそのくらいの電圧に下がってしまいます。テスターで計った時はもしかしてダイオードが破壊してショートしてたかもしれません。
　この整流回路はダイオードの選択が間違ってます。

お礼

整流用ダイオードの件ですが、すいません取り合えず設定してそのまま使っていました。
実際のは電流的にも余裕のあるブリッジダイオードを使っています。

トランスは、
http://jp.rs-online.com/web/p/toroidal-transformers/6719185/
これを使っています。

＞　Q9ですが「FETなしの状態でシミュレート」って両方のFETを外した状態ですか？それとシミュレートってLTSpiceでシュミレートしたんですか？おっしゃってる意味が良く理解できません。

はい、両方のＦＥＴをはずした状態です。
シミュレートもLTSpiceで試してみた結果です。
電圧を測った状態がＦＥＴが壊れていたのかと思い、ＦＥＴをはずしてシミュレートしてみました。

あとテスターの表示ですが、３００Ωと表示される場合と、０．３００ｋΩと表示される場合があります。
別の抵抗値を計った場合ですが、
同じ抵抗値を計った場合は同じ表示方法です。混合してはいないです。
これはどのように判断されているのですか？
正数での表示になる場合と、０．まるまるｋと表示される場合は何が違うのですか？

また表示がとまらず、少しずつ増加、もしくは減少していく場合があります。
このような場合はどうしたらよいのでしょうか？

回答No.10

xpopo

今晩は。

＞途中経過ですが、まず、３０Ｖというのは出力が３０Ｖ程度（３２Ｖ、３８Ｖ）という意味でした。
ＦＥＴですが、１．５Ｖを与えたためか、その前に回路の電圧測定したためか１．５Ｖをつなげた時で０Ω、その後ショート時を計ったところ２ｋほどになっていました。

回答＞＞
　３０Vの意味了解しました。
　２SK1058ですが、Vgs=１．５V時にD-S間抵抗が0ΩはFETがONできるということですので、大丈夫みたいですね。Vgs=０Vでは完全にoffできないようです。ですから2SK1058は壊れてないようですね。

＞Ｑ９のトランジスタ電圧ですがエミッタ、６５Ｖ
同じくベース６５Ｖ

回答＞＞Q9のコレクタは電源に直接接続されてますがベースは正常な場合は1.6V程度の小さな電圧になりますがそれが65VということはQ9は壊れてると考えられます。ベースとコレクタ間はショート状態になってるようです。Q9は交換したほうがよさそうですね。

＞ここまでしましたが、そのごＱ６のコレクタ、ベース間（おそらく）から火花が出て何かが燃えました。
匂いもしました。一応抵抗値は基盤上でベースコレクタ間で３ｋ、ベースエミッタ間で１．５ｋほどありましたが、だめかと思います。
その後電源を入れていないです。
測定続行してみて大丈夫でしょうか？

回答＞＞Q6も壊れてる可能性がありますので交換したほうがよさそうです。ほかにダメージを受けたトランジスタがないか確認したほうがよさそうです。特にQ10、Q8は気になりますので確認されたほうが良いと思います。
　Q9、Q6を交換し、Q10、Q8を確認し壊れてたらこれらのトランジスタも交換してから電源を入れたほうが良いでしょう。

＞それとＱ１１はつけていません。
Ｑ１１と１ｋ抵抗二つはなしの状態です。
温度的には冷房下でしたし、触った感じではあれ以後さほど熱くはなっていないと思います。

回答＞＞「Ｑ１１と１ｋ抵抗二つは」付けておかないとまずいですよ。今のところ熱くなってないのはアンプが正常に動作してないためかもしれませんし。この回路がないと、Q9とQ10のVBEの温度ドリフトを補償できませんので、実際に動作させた場合、アンプの温度が上がってくるとこのドリフトの影響でアイドリング電流も勝手に大きくなってゆきます。温度が30度上がれば約120mVほどM1のゲートとM2のゲート間の電圧が上昇しますのでアイドリング電流は100mA程度上昇してしまいます。安心のためにもつけておいたほうが良いと思います。

追記＞＞現状の全体回路を確認しておきたいので、正確な現時点での回路図をどこかにアップして頂けませんか？

お礼

まず、回路図です。
http://www.rupan.net/uploader/download/1377006649.asc

トランジスタの抵抗値をとりあえず計ってみました。基板上でですが、
Ｑ９　ＣＥ１０ｋ
Ｑ６　ＣＥ８ｋ　ＢＣ１．５ｋ　ＢＥ４Ｋ
Ｑ８　ＢＣ２００ｋ　ＢＥ２００ｋ　ＣＥ０．３８ｋ
ほどです。
数ｋΩですと微妙な値ですが、大丈夫でしょうか？
正常時は数ＭΩほどあります。
Ｑ１０はだめそうです。ＥＣ間で１００Ω未満でした。
火花が出たようなＱ６が数ｋあるのがよくわからないです。
Ｑ９ですが、電圧は高かったですが、ＦＥＴなしの状態でシミュレートしますと結構高めなので、
もしかしたら正常（電圧的には）のような気もします。

またＭＯＳＦＥＴの破損が怖いので、ＦＥＴなしの状態電源を入れ測定しても大丈夫でしょうか？
ところどころ電圧が高くなるところがありますが、もしくはＱ５，６，７，８，９，１０をとりはずし、新品を入力のほうから徐々に測定しながら入れていくのも大丈夫でしょうか？

少し話は変わりますが、Ｑ９の電圧が６０Ｖほどと出ていましたが、これは変圧後、整流してその電圧×√２
の値でしょうか？
ＳＰＩＣＥですと平滑して、電源電圧４５Ｖ程度ですが、平滑後でも平滑しきれたいないため最大値の電圧をテスターが拾っていたのですか？ちなみにデジタルテスターです。
この回路の整流間違っていますか？

回答No.9

xpopo

NO.8の追加です。

次のポイントのDC電圧も追加で測定しておいてください。

　１２）Q11のコレクタ
　１３）Q11のエミッタ
　１４）Q10のベース

以上です。

お礼

途中経過ですが、
まず、３０Ｖというのは出力が３０Ｖ程度（３２Ｖ、３８Ｖ）という意味でした。
ＦＥＴですが、１．５Ｖを与えたためか、その前に回路の電圧測定したためか１．５Ｖをつなげた時で０Ω、その後ショート時を計ったところ２ｋほどになっていました。

Ｑ９のトランジスタ電圧ですがエミッタ、６５Ｖ
同じくベース６５Ｖ
ここまでしましたが、そのごＱ６のコレクタ、ベース間（おそらく）から火花が出て何かが燃えました。
匂いもしました。一応抵抗値は基盤上でベースコレクタ間で３ｋ、ベースエミッタ間で１．５ｋほどありましたが、だめかと思います。
その後電源を入れていないです。
測定続行してみて大丈夫でしょうか？

それとＱ１１はつけていません。
Ｑ１１と１ｋ抵抗二つはなしの状態です。
温度的には冷房下でしたし、触った感じではあれ以後さほど熱くはなっていないと思います。

回答No.8

xpopo

＞－６０Ｖは、出力に付加なしで、テスターで図った場合です。
＞２ＳＪ１６２のほうは故障したようです。
＞Ｇ、Ｓ間ショートしてＤ、Ｓ抵抗が５５ＫΩでした、微妙な値ですが、２ＳＪ１６２を取り外し、
＞出力に２２００Ω抵抗を入れて電圧を測ったところ３２Ｖほどありました。
＞しかし、抵抗なしで３８ｖほどありました。

回答＞＞－６０V、了解しました。
　結果的に２ＳＪ１６２は破壊されてしまったようですね。

　次に、２ＳＪ１６２を外して負荷に2.2ｋを接続した場合の出力電圧が３２Vもあったということですが、これは出力段以外の回路がおかしいということです。本来出力電圧は０Vになるはずですから。

　では、原因を探るため、この状態で以下のポイントのDC電圧をテスターで測定して結果を教えて頂けますか？

　１）Q9のエミッタ
　２）Q9のベース
　３）Q6のベース
　３）Q6のエミッタ
　４）Q6のコレクタ
　５）Q5のベース
　６）Q5のエミッタ
　７）Q4のエミッタ
　８）Q4のベース
　９）Q3のベース
　１０）Q3のエミッタ
　１１）Q3のコレクタ

＞２ＳＫ１０５８のＳ、Ｄ間はＭ単位であり大丈夫そうでした。
＞３０Ｖと結構大きいですが、これは大丈夫な範囲でしょうか？

回答＞＞２ＳＫ１０５８は大丈夫そうですが、ゲート－ソース間に１．５Vを加えた時のドレイン－ソース間の抵抗はどのくらいありましたか？測定されてなかったら、念のため測定しておいたほうが良いと思います。
　それから、ここで言っている30Vはどこの電圧ですか？

回答No.7

xpopo

No.6です。

＞またお願いします、Ｒ３０（１．５ｋ）、Ｒ３１（可変抵抗１．５ｋ程度）と定電圧ダイオード（５Ｖ程度）を追加しました。
ソース抵抗も入れました０．２２Ω。電源をトランスでおおよそ５０Ｖ、５０Ｖです。
今度はＤＣ漏れがー６０Ｖほど出てしまいました。ボイスコイル切れました。
それに、２ｓｋ１０５８側だけが異常に発熱しています。
これはどういう状態でしょうか、すいませんお願いします。

回答>>

　ありゃりゃ、SPを飛ばしてしまいましたか。いきなりSPをつないで電源を入れてしまったんですね。
普通は電源を入れる時はまず、SPはつながないでオープンで様子を見るもんですが．．．。困りましたね。お気の毒です。
「DC漏れ」というのは出力が－60Vになってるということですか？
出力がマイナス一杯に振り切れていて、「２ｓｋ１０５８側だけが異常に発熱」してる状況ということでしょうか？

　この原因として一番考えられるのは

　トランジスタQ6のコレクタが５VツェナーダイオードのカソードとR30にしっかりつながってなくて（半田付け不良）、出力がマイナス側へ大きく振り切れてしまった。そしてSPに大きなSC電流が流れボイスコイルが焼損したのではないかと考えられます。

　確認が必要ですが、SPが焼き切れてしまった時にマイナス側のパワーMOSFET、MSJ162のドレインーソース間がショート状態に壊れてしまった可能性が考えられます。その結果、２ｓｋ１０５８もそれに引きづられてドレインに大きな電流が流れ続けて発熱してるんではないかと推測されます。

　まず、MOSFETが壊れてないかの確認が必要です。まずは簡単なチェックですが、ゲートソース間をショートしてドレイン－ソース間の抵抗をテスターで当たってみてください。１MΩ以上あればドレイン－ソース間は大丈夫と見ていいでしょう。次にゲート－ソース間に1.5V程度を加えた状態でソースドレイン間の抵抗をテスターで計って十分小さければ壊れていないことになります。

　部品が壊れている場合は正常な部品に交換後回路の配線を十分に再チェックしてください。
また、その後、トランジスタQ6のコレクタとQ8のコレクタ間の抵抗値を計ります。可変抵抗R31を最小になるようにセットした状態で約3.5kΩかどうか確認します。

　次に負荷にSPの代わりに1kΩ程度の抵抗を接続します。そしてMSJ162のドレインをマイナス電源からはずします。

　この状態で入力に信号は加えないで±電源を投入します。出力電圧をテスターでDC電圧が0V付近にあるか確認します。

　OKなら、今度は電源を一旦落としてから2SK1058のドレインを＋電源から外します。そしてさっき外したMSJ162のドレインをマイナス電源につなぎ直します。この状態で入力に信号は加えないで±電源を投入します。出力電圧をテスターでDC電圧が0V付近にあるか確認します。

　これもOKでしたら、電源を一旦落としてから2SK1058のドレインを＋電源につなぎ直します。
この状態で再度±電源を投入します。出力電圧をテスターで確認し、DC電圧が出てないことを確認します。

　次にアイドリング電流の調整を行います。負荷の１ｋΩはそのままつないでおきます。
MOSFETのソースに挿入されている0.22Ωの両端の電圧をテスターで測定しながら半固定抵抗R31をまわして22mV（アイドリング電流で100mAに相当）に調整します。

　この状態で、パワーMOSFETの発熱状態を手で触って異常に熱くないか確認します。異常が無ければこれでアンプは正常に動作しているはずです。

お礼

－６０Ｖは、出力に付加なしで、テスターで図った場合です。

２ＳＪ１６２のほうは故障したようです。
Ｇ、Ｓ間ショートしてＤ、Ｓ抵抗が５５ＫΩでした、微妙な値ですが、

２ＳＪ１６２を取り外し、
出力に２２００Ω抵抗を入れて電圧を測ったところ３２Ｖほどありました。
しかし、抵抗なしで３８ｖほどありました。
２ＳＫ１０５８のＳ、Ｄ間はＭ単位であり大丈夫そうでした。
３０Ｖと結構大きいですが、これは大丈夫な範囲でしょうか？

１６２側はまだ不安なため行っておりません。