半導体のチップクラック要因について教えてください。
現在半導体の不具合解析を行っています。お客さんの工程内で不具合が発見され(出力異常として)解析しました。結果、ICチップにクラックが入っていることがわかり、これが原因で出力異常となっていることが判明しました。しかし外部のパッケージには外傷はまったくなく、内部のチップのみクラックが入っています。
お客さん工程内での機械的なオーバーストレスが原因だろうとの見解をだしましたが、お客様からはチップクラックが入るようなオーバーストレスがかかる工程はないとのこと。チップクラックが入る応力としては500N近くの応力が必要なのですが、このような力は入る工程がないからです。しかし再現実験を試みたいたいとの意向があり、再現方法についてアドバイスを求められています。
このような現象(パッケージに外傷なし、チップのみクラックあり)に
いたるメカニズムや要因や可能性として考えられる工程などアドバイスいただけないでしょか?