CR遅延回路について
CR遅延回路について
お世話になります。遅延回路について質問があります。CMOSのイネーブルバスバッファ(4列)のイネーブル端子にCR遅延回路を入れています。C=2.2[μF],R=10[kΩ]にしており、バッファの電源5[V]からRとCを接続してイネーブル端子に入力しています。その状態でバッファの電源,イネーブル端子,出力信号を確認したところスパイク状のノイズのようなものが確認されました。スパイクノイズは0.5~1[V]程度となっており、電源が立ち上がった直後の位置に確認しました。遅延回路を入れない状態ではこのような現象は現れていませんでした。何が原因と考えられるのでしょうか?バッファICのラッチアップ現象なのでしょうか?また、どうすれば回避することができるのでしょうか(遅延回路を入れた状態で回避する方法)?ご回答お願いします。
補足
回答ありがとうございます。 CR回路においてCまたはRの値を変えるとぞれぞれ充電、放電特性にどのように影響を与えるのでしょうか?自分の考えとしてはCの容量を上げると充電時間が長くなり、下げると充電時間が短くなる。Rの値を上がると電圧降下が大きく起こり充電時間が長くなり、下げると充電時間が短くなる。というようになるのでしょうか?