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razavi 一段増幅回路 演習3.15(再投稿)

画像の回路で、Vin<VthのときVout=Vddになるのは以下の理解で良いのでしょうか? Vin<Vth のときMOSFETのM1がオフ。 このときドレインとソース間はオープンしているわけではないので、VoutはRDとRsとM1のオン抵抗Ron、の3抵抗の分圧になる。 →Vout=Vdd × (Ron +Rs)/(RD+Ron+Rs) でもM1のオン抵抗RonはRD,Rsに比べ非常に大きい(具体的にはどれくらい差があるか知らない、kΩとMΩくらい?) →Vout≒Vdd 結果的にM1の部分でオープンしているといえるのでしょうか?そのためVout=Vdd。 よろしくお願いします。

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  • ohkawa3
  • ベストアンサー率59% (1509/2540)
回答No.4

RD、MOSFET自体の抵抗、RSの分圧で扱うことは真っ当な考え方だと思います。 Vin<Vthで、MOSFETはOFFと扱うのであれば、MOSFET自体の抵抗を無限大と扱って構わないということなので、分圧云々を議論することなく、Vout=Vddとしていいと思います。 MOSFET自体の抵抗を無限大と扱うということは、RD、MOSFET、RSの作る回路に全く電流が流れていないということです。

nemui25
質問者

お礼

回答ありがとうございます。解決しました! オフの時少量の電流が流れてるのかな、、などと考え込んでしまいました。導通していないとして問題ないという事ですね、確かにそうでないとスイッチングと言えないですね、、。ありがとうございました!

その他の回答 (3)

  • ohkawa3
  • ベストアンサー率59% (1509/2540)
回答No.3

回答(2)追記 MOSFETメーカーのデータシートでは、先の回答に記載したように、理想的なON/OFF特性ではない(アナログ的に変化する)ことを前提に、所定のIDが流れる条件でVth定義します。 一方で、電子工学の教科書では、理想的なON/OFF特性を行うことを仮定して、ON/OFFの丁度境目に相当するゲート電圧をVthと定義する場合もあると思います。 ご質問者さんが、試験問題などで疑問を感じているとしたならば、MOSFETのON/OFF特性を理想化しているのか、現実的な扱いをしているのか、設問の前後関係で判断する必要があるかもしれません。

nemui25
質問者

補足

回答ありがとうございます。 問題の回答はVin<VthではmosfetはOFFの扱いで、Vin>VthでON(飽和領域)としています。 画像が追加できないので、すみませんが口頭で追加質問させて下さい。 M1が無いとき(抵抗2つの回路にしたとき)、Voutは抵抗2つの分圧になる、で合っているでしょうか? しかしM1を追加して、M1がオフになるとVoutは分圧ではなくVddになるのがわからないです…。電流が流れてないのでしょうか。 分圧はたぶん電流が流れている時でないと成り立たない、、ですよね。 最初の質問がわかりづらく、初歩的なところでつまづいてる気がしており申し訳ないのですが、よろしくお願いいたします。

  • ohkawa3
  • ベストアンサー率59% (1509/2540)
回答No.2

Vthは、MOSFETがON状態、又はOFF状態からON状態への遷移状態となるゲート電圧です。一般的には、次のURLに示すようにID=1mAで定義している場合が多いようです。 https://detail-infomation.com/mosfet-threshold-voltage/ 従って、ゲートにVthの電圧を加えた場合は、MOSFETは完全にOFFの状態ではないので、Vout=Vddということは不適切なように思います。 Vin<<Vthのときであれば、MOSFETは完全にOFFの状態になるとみなせるので、Vout=Vddになると言ってよいと思います。 いずれにしても、MOSFETはアナログ的な動作をするので、ゲートにVthの電圧を加えた場合は、理想的ON状態と、理想的なOFF状態の中間にあると扱うことが適切と思います。 回路動作を簡潔に説明するための割り切りと、実際のONからOFFへの切り替わりの実態には差異があります。

  • FattyBear
  • ベストアンサー率33% (1534/4628)
回答No.1

MOS FETには二つの特性の異なる素子の区分があります。 デプレッションモードとエンハンスメントモードです。 ---------------------------------------------------------------------- デプレッションモード ゲート電圧0Vでドレイン電流が流れ、 ゲート電圧0V付近のゲート電圧ドレイン電流特性は 概ね直線的なので小信号増幅に適しています。 --------------------------------------------------------------------- エンハンスメントモード ゲート電圧が閾値未満ではドレイン電流はOFF、 ゲート電圧が閾値を越えるとドレイン電流がON、 閾値付近でゲート電圧ドレイン電流は非線形になるので、 スイッチング用途に適しています。 ----------------------------------------------------------------------- 増幅回路ということなのでそのMOSFETはデプレッションモード のFETでしょう。そのFETの入力OPEN時のドレイン電流とRdの抵抗値 によりVout≒Vddになるか,どの程度Vout=Vddと言えるかは不明。 だと考えます。問題の条件としてどちらのモードのFETかの説明は?

nemui25
質問者

補足

回答ありがとうございます。 どちらのモードかの記載はありませんでした。 本書がVgs=0.7Vで閾値電圧として話進めているので、おそらくエンハンスメントモードなのかなと思われます。。

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