酸化膜電荷の計算について

質問

現在、Siウェーハ表面の酸化膜電荷の計算プログラムを作成しています。すでにn型Siのプログラムは完成しました。が、p型について行き詰まっています。計算仮定を変えるだけだと思いますが、どこを変えたらよいのか検討中です。関連文献をご存知の方など、少しの情報でも良いので回答お待ちしています。

回答No.1

physics

どのような計算かわかりませんが、一応わかる範囲で回答させていただきます。

　単純に考えて、N-typeは大部分がホールので電子が少なく、結果的に電子の挙動が制御に関わっていますよね？
　この計算プログラムができているなら、P-typeは反対にホールの制御を予言すればいいんだから、電荷を単体にすればいいのではないでしょうか？もちろんファクターにモビリティーを考えなければいけませんが、ここも修正すればいいでしょう。
　教科書レベルの問題なら、移動度は同一としてもとりあえずはいいかもしれません。
　DOSはどうなっていますか？理論的には同じかもしれませんが、材料がなんだかわからないので何とも言えませんが・・・。