ハイサイドスイッチ

質問

PchとNchのFETを使用してハイサイドスイッチをつくりたいと
思っています。
部品選定の際にどのような点に留意すればよいでしょうか。
質問が漠然としていて申し訳ありませんが、FETをほとんど
使用したことが無くデータシートの見方も良くわかってない
初心者です。
実現したいのは、５Ｖ電源のON/OFF、電流は1A流せられれば
よいです。イネーブルには3.3VのCMOS出力を使用します。

宜しくお願いいたします。

回答No.3

noname#230359

いろいろなメーカーから出ていますが、ROHMさんなどに
いっぱいあります。
制御用入力ポートの反転型や出力形式などさまざまなも
のが用意されていると思いますので、吟味してみてくだ
さい。

回答No.2

noname#230359

一番の方のような回路で理論的には動くのですが，こ
こで考えなくてはならないことがいくつかあります。
第一に，付加の条件特に突入電流などの規格がある
場合は，スロースタート回路などが必要になります。
第二に，過負荷に対する保護をどうするかです。
電流の制限，温度上昇に対する制限など

これらの問題を解決するのにはかなりに知識が必要です。
量産で使用するのであれば，表題から外れますが，専用
ハイサイドスイッチも候補になります。
５０円程度の量産単価を許せるのでしたら，ご一考願い
ます。

お礼

お礼遅くなりまして申し訳ありません。
ありがとうございました。
ちなみにハイサイドスイッチも検討したいと思っているのですが、
お勧めのメーカ等はありますでしょうか？
自分でも探してみているのですが、なかなか良いものが見つかって
おりません。
お手数おかけしますが、ご教示いただけたら幸いです。

回答No.1

noname#230359

ハイサイドスイッチはPchのMOSFETだけで実現できます。
ハイサイドスイッチなので入力電圧は5Vですから、入力がTTLコンパチのCMOS（TC74HCTシリーズは電源電圧５Vでも入力は3.3V系で働きます。）を使いON/OFFとイネーブルの論理を組めばよいと思います。

MOSFETの選択は
?ドレイン･ソース間電圧 VDSSが入力電圧より大きいもの。（例：10V以上）
?ドレイン電流IDが出力電流より大きいもの。（例：2A以上）
　出力側にコンデンサーをつける場合はIDP（パルス電流）も考慮しなければなりませんが、大体IDの4倍程度のものが多いのでそれほど心配しなくても良いと思います。
?許容損失PDはON/OFF動作だけなので1Wあれば十分。
?ドレイン・ソース間オン抵抗RDが重要です。使用電流の1Aで十分低くないと出力電圧が下がるばかりではなく、MOSFETの損失が増えて放熱対策をしなくてはならなくなります。100mΩで1Aでは0.1V低下するのでこれ以下にしたい。
さらに、このRDにはVGSが関係します。ON/OFFは5V-0Vで行うため5V未満のVGSで必要なRDが得られるものが必要です。

接続は（ちゃんと表示できるかな）以下でいいと思います。

　 　　5V　 －－－S　　　 D－－－
ｌ G
　　　　　　　ｌ 　　 ｌ R1=10K
　　　　　　　R1　 　 ｌ R2= 1K
　　　　　　　ｌ ｌ
　　 CMOS －－R2－

この場ではこれで精一杯なのでご容赦ください。

お礼

お礼が遅くなり申し訳ありません。
図まで描いていただき非常に助かりました(^^)
ありがとうございました。