フォトカプラ内蔵のIC試作の可能性と相談先について

2008/08/23 10:15

このQ&Aのポイント

フォトカプラ内蔵のICの試作について、疑問点や相談先についてまとめました。
フォトカプラ内蔵のICの試作に関しての疑問や詰まりポイント、相談先についてまとめました。
フォトカプラ内蔵のICの試作に関する疑問や相談先についてまとめました。

noname#230358

電子部品・基板部品
回答数1
ありがとう数0

みんなの回答 （1）
専門家の回答

みんなの回答

noname#230359

2008/08/23 10:42 回答No.1

＞a)そもそもフォトカプラはモノリシックで作れるのかフォトカプラは，発光側，受光側別々のチップを絶縁耐圧を確保しながら光結合させるように組み立ててあるデバイスであって，モノリシック構造ではありません。絶縁耐圧がどの程度の要求されるのでしょうか？アナログICのプロセス耐圧程度で間に合うのであれば，フォトカプラを使わない回路構成とすることで，モノリシック化ができるように思います。高い絶縁耐圧が必要であれば，フォトカプラ部以外以外にも，低電位回路部分と高電位回路部分の耐圧をどのように確保するかが課題です。フォトカプラを外付けして，低電位部，高電位部の２チップ構造をとることが安全のように思います。なお，ハイサイドドライバのような構成（ｐ－ｎ分離，誘電体分離）をとることである程度対応できる可能性があるようにも思います。 ◆フォトカプラの構造例 http://www.necel.com/opto/ja/parameter_p/index.html ◆耐ノイズ性確保の確保耐圧よりも耐ノイズ性が重要であれば，まず第一の段階として，電位を分離したい回路間の許容される静電容量を開発仕様に定義されることが必要かと思います。ハイブリッド構成とすることが安全側の選択とは思いますが，耐圧が大して必要ないのであれば，モノリシックをあきらめるのは早いようにも思います。ノイズ伝達経路についてモデル化して，定量的に設計仕様に落とし込めればモノリシックで実現できる可能性はあると思います。（そうしないと，コストメリットが生じないように感じます。）ただし，現在のフォトカプラを前提とした回路のままではなく，電位変換と，耐ノイズ性を考慮した回路に構成を変更することが必要になります。