スイッチング素子の高電圧下での使用について
こんにちは。
現在、DC1000Vを出力できる電源を所有しているのですが、その出力部分にスイッチング素子(IGBTかMOSFET)を接続して、矩形波を作りたいと思っています。スイッチング素子に入力する電流値は10mA程度です。スイッチング周波数は、500kHz程度を希望しています。
そこで質問なのですが、
?入力がDC1000V、10mA、スイッチング周波が500kHzの条件だと、IGBTとMOSFETのどちらを使うのが良いでしょうか？
?単純にスイッチング素子を電源の出力に接続する(スイッチング素子を基盤に半田付けで固定し、そこへ1000V、10mAを入力)だけで問題はないでしょうか？
なお、現時点で使用を考えている素子は
STMicroelectronics社のSTFW4N150です。(詳細は参考URLにあります)
その他にも、高電圧下でスイッチング素子を使用することについて、アドバイス等がございましたら、ご教授いただけると幸いです。回答をよろしくお願いします。
アドバイスを下さった皆様、非常に勉強になりました。
独力では、この電源を実現することは難しいという事が分かっただけでも良かったです。今後は、真空管を用いる方法等、他の方法も探ってみたいと思います。
ありがとうございました。
STFW4N150の参考URLです。
http://jp.rs-online.com/web/p/mosfet-transistors/7610503/
![その他([技術者向] コンピューター) イメージ](https://gazo.okwave.jp/okwave/spn/images/related_qa/c205_3_thumbnail_img_sm.png)
お礼
すいませんカテゴリが間違っていました。 わかりやすい回答ありがとうございます。 おかげでよくわかりました(*゜ー゜)