フラッシュメモリーの記録回数制限の理由

質問

フラッシュメモリーの記録回数は50万回とか100万回といわれています。絶縁体を電子が劣化させれるというのが理由でそうですが、その仕組みをお教えください。

回答No.2

Pesuko · ベストアンサー

http://ja.wikipedia.org/wiki/NAND%E5%9E%8B%E3%83%95%E3%83%A9%E3%83%83%E3%82%B7%E3%83%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA

不良ブロックの項目に記載されてます。

お礼

ご回答ありがとうございます。

回答No.1

Kyo99

http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/memory/6.htm
↑URLの「書き込みの原理」からの引用になるのですが
『薄いトンネルSiO2膜に高電圧がかかる。このときドレインからFGに電子が注入され・・・』
とあります。このSiO2膜(絶縁体)が劣化するということではないでしょうか。

SiO2(二酸化ケイ素)
http://www.mst.or.jp/010317.html

お礼

ご回答ありがとうございます。