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フラッシュメモリーの記録回数制限の理由

フラッシュメモリーの記録回数は50万回とか100万回といわれています。絶縁体を電子が劣化させれるというのが理由でそうですが、その仕組みをお教えください。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • Pesuko
  • ベストアンサー率30% (2017/6702)
回答No.2

http://ja.wikipedia.org/wiki/NAND%E5%9E%8B%E3%83%95%E3%83%A9%E3%83%83%E3%82%B7%E3%83%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA 不良ブロックの項目に記載されてます。

012345678
質問者

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その他の回答 (1)

  • Kyo99
  • ベストアンサー率12% (1/8)
回答No.1

http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/memory/6.htm ↑URLの「書き込みの原理」からの引用になるのですが 『薄いトンネルSiO2膜に高電圧がかかる。このときドレインからFGに電子が注入され・・・』 とあります。このSiO2膜(絶縁体)が劣化するということではないでしょうか。 SiO2(二酸化ケイ素) http://www.mst.or.jp/010317.html

012345678
質問者

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