tance の回答履歴

私は大学の研究で、光電効果の原理からレーザーを用いて光電子電流の測定を行う予定です。 そこで質問なのですが、過去の先輩の論文を読んだところ、測定の際、400nmのレーザーをチョッピング周波数200Ｈｚでライトチョッパに通すと書いてあったのですが、なぜ200Ｈｚなのでしょうか？また、レーザーを通す際にライトチョッパを通す理由は何ですか？ライトチョッパを通さずに金属板にレーザーを直接照射させてはダメなのでしょうか？ また、光電子電流波形は位相‐180度から180度を横軸の値として取っていましたが、なぜ横軸が位相になるのでしょうか？ ロックインアンプと関係しているのでしょうか？ 知らないことばかりで申し訳ないのですが、教えてください。 文献等で調べてみたのですがさっぱりわかりません。 どなたか教えてください。よろしくお願いします。

私は大学の研究で、光電効果の原理からレーザーを用いて光電子電流の測定を行う予定です。 そこで質問なのですが、過去の先輩の論文を読んだところ、測定の際、400nmのレーザーをチョッピング周波数200Ｈｚでライトチョッパに通すと書いてあったのですが、なぜ200Ｈｚなのでしょうか？また、レーザーを通す際にライトチョッパを通す理由は何ですか？ライトチョッパを通さずに金属板にレーザーを直接照射させてはダメなのでしょうか？ また、光電子電流波形は位相‐180度から180度を横軸の値として取っていましたが、なぜ横軸が位相になるのでしょうか？ ロックインアンプと関係しているのでしょうか？ 知らないことばかりで申し訳ないのですが、教えてください。 文献等で調べてみたのですがさっぱりわかりません。 どなたか教えてください。よろしくお願いします。

シャント抵抗と浮遊インダクタンスの導き出し方が分からなくて困っています。 問題は、以下のとおりです。 シャント抵抗値が1mΩの場合、1MHzで1mΩになるインダクタンスは、ｐHになるでしょうか。 ｐHに浮遊インダクタンス値が実現できたとしても、1mΩのシャント抵抗に1mΩのインダクタンスが加算されて約何パーセントのインピーダンスが上昇するのか。

お世話になります、回路シミュレーションLTSpiceに関する質問です。 出力端を最終的にGNDに落とさず、開放系とした回路の シミュレーションを行おうとしたところ、エラーが出てしまいました。 開放端をGNDに落とすときちんと動作したことから、 原因は回路を開放系としたことで間違いはないと思います。 何とかしてシミュレーションを行うことはできないでしょうか？ （ちなみに開放端としているのは回路に電流を流したくないためであり、 回路上にはスイッチング電圧を印可しております。） ご指導、お鞭撻のほどよろしくお願いいたします＞＜

CR直列回路について教えて下さい。 コンデンサと抵抗が直列に接続されている回路でコンデンサの片側(抵抗に接続していない方)からサイン波を入力し、抵抗の片側(コンデンサに接続していない方)から出力を取り出す回路の遮断周波数の算出式を教えて下さい。 私は、電子回路については全くの素人です。 宜しくお願いします。

大学で電子回路（アナログ、デジタル）を勉強しました。 大学院ではパワエレ（インバータ回路）を学ぼうと思っています。 電子回路の知識はパワエレに活かせますか？ 具体的にどのように活かせるのかも含め、できるだけ詳しく教えてください。 よろしくお願いします。

CR直列回路について教えて下さい。 コンデンサと抵抗が直列に接続されている回路でコンデンサの片側(抵抗に接続していない方)からサイン波を入力し、抵抗の片側(コンデンサに接続していない方)から出力を取り出す回路の遮断周波数の算出式を教えて下さい。 私は、電子回路については全くの素人です。 宜しくお願いします。

お世話になります。 http://www.mizuden.co.jp/pdf/HTE.pdf 　　　　↑ HTE125シリーズ、H=15mm、H=20mmと同等の性能(熱抵抗、サイズ)をもった ヒートシンクを探しています。 出来るだけ近いスペックのものをお教えいただけるとありがたいです。 よろしくお願いします。

高周波で動作するデバイスの電源デカップリングフィルタとして、LCフィルタを電源ラインに付加することがよくあります。 このとき、デバイスから放射される動作周波数成分のノイズは確かにこのフィルタにて抑制されそうですが、同時に、自分の動作周波数のAC電流も抑制されてしまう気がします。 そうすると、デバイスの必要な電源インテグリティが確保できなくなってしまいそうですが、果たしてどうなんでしょうか？

IGBT使用条件 雰囲気温度：150℃ 入力パルス：シングルパルス80ms 入力電力：100W 一般的に半導体のTjは最大175℃と規定されています。シミュレーションをやった結果、280℃となりました。175℃を超えている時間は約70msです。結果が正しいと仮定すると、IGBTは破壊に至るはずです。しかし、実試験で確認した結果、問題はありませんでした。（性能劣化も無し）。 シミュレーションの結果が間違っているのでしょうか。それとも、短時間ならTjmaxを超えても、破壊には至らないのでしょうか。 お客様に使用に関して問題ないという説明をするための、裏付けがなく困り果てています。 どうか、皆様のお力を貸してください。

80～160MHｚの3.3Vの信号（PFMのようなもの）を70ns程度遅延したいのですが、電子回路で組めるでしょうか？ できれば遅延時間を可変できるとありがたいです。 現在は同軸ケーブルを10ｍ以上ぐるぐる巻いてディレイしています。 遅延時間を変えたいときは2mくらいの短いケーブルを入れたり外したりする泥臭い方法でやっています。 PFMのようなものと書きましたが、実際には正弦波がFM変調された信号をゼロクロスで0V/3.3Vに切り替えたものなのですが、最終的には立ち上がりエッジしか使いませんので立ち上がりタイミングさえ合っていればいいです。 よろしくお願いします。

80～160MHｚの3.3Vの信号（PFMのようなもの）を70ns程度遅延したいのですが、電子回路で組めるでしょうか？ できれば遅延時間を可変できるとありがたいです。 現在は同軸ケーブルを10ｍ以上ぐるぐる巻いてディレイしています。 遅延時間を変えたいときは2mくらいの短いケーブルを入れたり外したりする泥臭い方法でやっています。 PFMのようなものと書きましたが、実際には正弦波がFM変調された信号をゼロクロスで0V/3.3Vに切り替えたものなのですが、最終的には立ち上がりエッジしか使いませんので立ち上がりタイミングさえ合っていればいいです。 よろしくお願いします。

（3芯の電源で）相互に接続された電子機器が「グランド間の電位差」で 壊れたりすることがある、、という話を聞いたことがあります。 機器が破壊するほどの「グランド間に電位差」を生じさせる要因として、 どんなことが考えられるでしょうか ？ ご存知の方がいらっしゃいましたら教えて頂ければあり難いです。（ 「雷」 は除きます ） 環境としては、家庭内というよりは、会社社屋、ホールなどをイメージしています。 直感的な推測ではなく、ある程度の裏づけのある情報が頂ければ、 なお、あり難いです。

下記（ア）と（イ）に該当する数字の算出方法を教えてください。 WDM伝送方式では、光の伝搬速度を3*10＾8（m/s）、使用する波長帯域を1.5（μm)から1.6(μm)までの0.1(μm)としたとき、その伝送帯域は、周波数に換算すると(ア)（ＴＨz)となり、波長を１００（ＧＨｚ）間隔に配置すると、（イ）波長の多重化が可能となる。 12500GHz/100GHz=125波長でイになるそうですが、(ア)がわかりません。 アは12.5だそうです。 よろしくお願い致します。

５００倍程度で液体を暗視野で見てみたいので、一番安い仕上がる方法を模索中です。暗視野初体験なので右も左もわかりません。別で質問中ですが、いまのところ 暗視野コンデンサ http://www.3bs.jp/microscope/parts-micro/u30746.htm 暗視野照明 http://www.vixen.co.jp/micro/option/micro-op03.htm のどちらかが必要なことはわかりました。どっちも２万円くらいです これらは同じものでしょうか？？

自転車の回転を速くすると自転車に取り付けている電灯が明るくなる、つまり電灯の電圧が高くなるのは何故でしょうか？ 電圧とはそもそも電気を流そうとする力のことですよね？ 電灯の明るさは電圧×電流だから、明るさ＝電圧×電流＝電圧×電圧÷抵抗 W＝V×I＝V＾2/R ここで、自転車の車輪の回転を上げても抵抗は変わらないから、電圧を高くすれば電灯は明るくなる。 ここまでは分かるんですが、 なぜ車輪の回転を上げることが電圧が高くなることに繋がるのかがわかりません。 教えてください。 よろしくおねがいします。

自分は，研究室の実験において，ビニールシートの引張試験を行なっています． 試験片材質はビニールハウスなどで使われるダイヤスターMKVで，試験片の寸法は長方形の60×10×0.15ミリのとして，引張試験機のチャックに30ミリを挟んで実験をしています． しかし，算出される応力歪線図には，画像で示すとおり不定期的に振動が生じます． それも，振動が大きかったり，逆に全く生じなかったりとします． チャックと試験片は密着させており，また試験片に傷があるかどうかは顕微鏡で確認しています． 試験機の周囲には振動を生じさせるような大きな装置はありません． 回答よろしくお願いします．

ジャンクション定格温度(tj)　150度(80%として120度) ジャンクション、ケース間熱抵抗(jc)　1.2度/W ケース、ヒートシンク間熱抵抗(jh)　　2度/W 周辺温度　50度(ta) 消費電力　30W(q) １、上記条件でヒートシンクの熱抵抗値の求め方 (tj-ta)/q (120-50)/30=約2.3(2.3とします) (jc+jh)-2.3 (1.2+2)-2.3=0.9 よって必要なヒートシンクは熱抵抗値が0.9度/W以下の物。 (値がゼロ以下の場合はヒートシンクは不要 ここまであってますでしょうか。 ２、上記熱抵抗値0.9から下記条件でヒートシンクの表面積の求め方を教えてください。 　・アルミ、3mm厚の場合 　・鉄、5mm厚の場合 ３、下記条件から熱抵抗を求める方法を教えてください。 　・アルミ、3mm厚、H:10cm W:2.5cm 　・鉄、5mm厚、H:15cm W:2.5cm 以上、よろしくお願いします。

ジャンクション定格温度(tj)　150度(80%として120度) ジャンクション、ケース間熱抵抗(jc)　1.2度/W ケース、ヒートシンク間熱抵抗(jh)　　2度/W 周辺温度　50度(ta) 消費電力　30W(q) １、上記条件でヒートシンクの熱抵抗値の求め方 (tj-ta)/q (120-50)/30=約2.3(2.3とします) (jc+jh)-2.3 (1.2+2)-2.3=0.9 よって必要なヒートシンクは熱抵抗値が0.9度/W以下の物。 (値がゼロ以下の場合はヒートシンクは不要 ここまであってますでしょうか。 ２、上記熱抵抗値0.9から下記条件でヒートシンクの表面積の求め方を教えてください。 　・アルミ、3mm厚の場合 　・鉄、5mm厚の場合 ３、下記条件から熱抵抗を求める方法を教えてください。 　・アルミ、3mm厚、H:10cm W:2.5cm 　・鉄、5mm厚、H:15cm W:2.5cm 以上、よろしくお願いします。

チップ上でカスコード接続回路の出力インピーダンスを向上させる研究を行っており、その出力インピーダンスを測定することを目的としています。そのためにVoutに流れる電流量を測定したいです。 シミュレーション上ではVoutに流れる電流は300uA±1uA未満となっています。周波数は10MHz以下を想定しています。 R=Vp-p/Ip-pでは約300kΩとなる計算です。 問題点としては ・周波数が低いのでインダクタを使えない ・直流電流300uAを流す必要がある ・グラウンドに接続する これらの問題を解決して電流を測定する、もしくはインピーダンス値を測定する方法をご教授いただきたいです。よろしくお願いします