tance の回答履歴

入力電圧A（－１～１V）、入力電圧B（－１～１V）の入力を比較し、小さいほうを選択し出力として取り出すというアナログ回路を考えていますが、どうしたらよいかわかりません。 コンパレーターでA,Bを比較し、コンパレーターの出力をトランジスタにつなげてAとBの電圧をスイッチングするというような考えでよいのでしょうか？ なにかよい知恵がありましたらよろしくお願いします。 （アナログ回路はあまりわかりません）

入力電圧A（－１～１V）、入力電圧B（－１～１V）の入力を比較し、小さいほうを選択し出力として取り出すというアナログ回路を考えていますが、どうしたらよいかわかりません。 コンパレーターでA,Bを比較し、コンパレーターの出力をトランジスタにつなげてAとBの電圧をスイッチングするというような考えでよいのでしょうか？ なにかよい知恵がありましたらよろしくお願いします。 （アナログ回路はあまりわかりません）

入力電圧A（－１～１V）、入力電圧B（－１～１V）の入力を比較し、小さいほうを選択し出力として取り出すというアナログ回路を考えていますが、どうしたらよいかわかりません。 コンパレーターでA,Bを比較し、コンパレーターの出力をトランジスタにつなげてAとBの電圧をスイッチングするというような考えでよいのでしょうか？ なにかよい知恵がありましたらよろしくお願いします。 （アナログ回路はあまりわかりません）

オゾンは、酸素よりも分子の質量がおおきいはずなのになぜ上空にあるのですか？ 空気よりも密度が小さいからですか？

もし、エレベーターが落ちた時、どうしたら助かるのか知りたいです。

OPアンプを用いて反転増幅器を作ったのですが、入力信号を何も入れずにOPアンプにバイアス電圧をかけただけで、出力に数mVのSin波のようなものがオシロスコープ(インピーダンス50Ω)で見られました。 これは俗にいうOPアンプの発振というものなのでしょうか？ どうしたらこのノイズを改善できるのしょうか？ つたない説明ですが、回答よろしくお願いします。

いわゆるボールのような凸レンズというのは単なる拡大鏡としては使いにくいですが、このような形状のレンズでないとできないことというのはあるのでしょうか。具体的に使われている例などがありましたら教えてください。

いわゆるボールのような凸レンズというのは単なる拡大鏡としては使いにくいですが、このような形状のレンズでないとできないことというのはあるのでしょうか。具体的に使われている例などがありましたら教えてください。

送電線や変電所から出る超低周波電磁界は、遠くなるほど減衰しますが、 携帯電話の基地局から出る超低周波電磁界の場合は、近場の方が強いとは限らず、 基地局の近場より120～150m付近の方が強く、その後は1km離れてもなかなか減衰しないケースもあるらしいと聞きました。 何故、このような違いが生まれるのでしょうか？

私は、あるレンズを造る会社に勤めています。 会社が所有する装置に焦点距離と解像力を測定する装置（手動）があるのですが、光学の知識がまったくないことから、この装置の原理が理解できないのです 装置は、焦点距離測定方式にて焦点距離を測定しているとのことで、装置の特徴としては、垂直上に接眼レンズ部+対物レンズ-検体レンズ設置部-コリメータレンズ-レチクル？（チャート）-光源が並んでおり、接眼レンズ部+対物レンズを動かすことにより、距離表示が動くインジケータが付いています。 コリメータレンズの位置を動かすことはできませんが、レチクルの位置を垂直方向へ0±15mmほど動かすことが可能です。当然ですが、これを動かすとコリメータレンズとレチクルの間の距離が変わります。 上記の装置構成上、レチクルの位置はコリメータレンズに対し、どの位置に合っている必要があるのでしょうか？ そして、レチクルの位置がコリメータレンズとの正しい位置から10mmずれていた場合、測定された焦点距離は、正確な焦点距離ではないということでしょうか？ おわかりになる方がいらっしゃったら、ご指導御願い致します。 また、情報が足らないなどありましたら、ご指摘下さい。

お世話になります。 0.1Ωの抵抗にかかる電圧を測定したくオペアンプを使って次のような回路を組みました。 図中の1,2,3はオペアンプのピン番号です。(1:out,2:-,3:+) （*は無視して下さい。） 5V--負荷--+-R(0.1)---GND ********** | **********in-->3---R3(?)----GND out<----1---Rf(47K)---2---Rs(10K)---GND GNDの直前にR(0.1Ω）を入れinとしています。 負荷にはLED+R(220Ω)を１～3組使ってみました。 outの電圧は計算上はinの5.7倍になるはずですがオペアンプにより 計算通りとならず悩んでいます。 【OK】 LM358(R3に1MでOK）※R3が無いとinが0Vでも約3.6V LM324N(R3無しでOK) 【NG】 NJM4558DD(R3に1MでもNG）※inが0Vでも約3.6V LT072(R3に1MでもNG）※inが0Vでも約3.6V NJM4558DD、LT072では動作しないのはなぜなのでしょうか？ そもそも何か根本的な間違いをしていますでしょうか？

お世話になります。 0.1Ωの抵抗にかかる電圧を測定したくオペアンプを使って次のような回路を組みました。 図中の1,2,3はオペアンプのピン番号です。(1:out,2:-,3:+) （*は無視して下さい。） 5V--負荷--+-R(0.1)---GND ********** | **********in-->3---R3(?)----GND out<----1---Rf(47K)---2---Rs(10K)---GND GNDの直前にR(0.1Ω）を入れinとしています。 負荷にはLED+R(220Ω)を１～3組使ってみました。 outの電圧は計算上はinの5.7倍になるはずですがオペアンプにより 計算通りとならず悩んでいます。 【OK】 LM358(R3に1MでOK）※R3が無いとinが0Vでも約3.6V LM324N(R3無しでOK) 【NG】 NJM4558DD(R3に1MでもNG）※inが0Vでも約3.6V LT072(R3に1MでもNG）※inが0Vでも約3.6V NJM4558DD、LT072では動作しないのはなぜなのでしょうか？ そもそも何か根本的な間違いをしていますでしょうか？

TTLの回路とTTLの回路を50オームの同軸線（BNC接続、1ｍ位）でつなぎたいです。 送り出す信号は、最高で2MHz位です。 受ける側は既製品です。送り出す側に抵抗等を付けると良いのでしょうか？ 抵抗を入れるとしたら、 以下のような回路は好ましくなく（□は抵抗です）、 　　　　　　　　Vcc 　　　　　　　　｜　 　　　　　　　　□ 　　　　　　　　｜　　　　　　 　TTL------------◎BNC接続部 　　　　　　　　｜　 　　　　　　　　□ 　　　　　　　　｜　　　　　　 　　　　　　　　GND 以下のような回路が望ましい（50オームのダンピング抵抗？） 　TTL-----□------◎BNC接続部 と本やネットに書いてありました。素人で全く分かりません。 どなたか助言いただけると幸いです。

来週実験を行おうとしているのですが、機器同士をつなぐ信号規格が違うことに 気づき慌てている次第であります。 その解決方法として、機器の間にバイアス回路を挟もうと考えており、 部品は秋葉原なので調達して作成したいと思っています。 しかし、回路について、無知であるたこのようなことが可能なのか現在、色々な電子回路の教科書 を読んでいるのですが、よく分かりません。 理想としては、DC 0Vの1Vppの信号をECL信号に変更したいです。 ただ、入力する機器は、振幅が1Vppでも対応しているそうなので、バイアス回路で-1.3V与えて DC -1.3Vの1Vpp信号に変換したいと考えています。 どなたか御助力を頂けないでしょうか。 よろしくお願い致します。 信号速度：10MHz 波形：矩形波 入力インピーダンス：50Ω したいこと：DC 0Vの1Vpp信号をバイアスを与えてDC -1.3Vの1Vpp信号にしたい。

来週実験を行おうとしているのですが、機器同士をつなぐ信号規格が違うことに 気づき慌てている次第であります。 その解決方法として、機器の間にバイアス回路を挟もうと考えており、 部品は秋葉原なので調達して作成したいと思っています。 しかし、回路について、無知であるたこのようなことが可能なのか現在、色々な電子回路の教科書 を読んでいるのですが、よく分かりません。 理想としては、DC 0Vの1Vppの信号をECL信号に変更したいです。 ただ、入力する機器は、振幅が1Vppでも対応しているそうなので、バイアス回路で-1.3V与えて DC -1.3Vの1Vpp信号に変換したいと考えています。 どなたか御助力を頂けないでしょうか。 よろしくお願い致します。 信号速度：10MHz 波形：矩形波 入力インピーダンス：50Ω したいこと：DC 0Vの1Vpp信号をバイアスを与えてDC -1.3Vの1Vpp信号にしたい。

来週実験を行おうとしているのですが、機器同士をつなぐ信号規格が違うことに 気づき慌てている次第であります。 その解決方法として、機器の間にバイアス回路を挟もうと考えており、 部品は秋葉原なので調達して作成したいと思っています。 しかし、回路について、無知であるたこのようなことが可能なのか現在、色々な電子回路の教科書 を読んでいるのですが、よく分かりません。 理想としては、DC 0Vの1Vppの信号をECL信号に変更したいです。 ただ、入力する機器は、振幅が1Vppでも対応しているそうなので、バイアス回路で-1.3V与えて DC -1.3Vの1Vpp信号に変換したいと考えています。 どなたか御助力を頂けないでしょうか。 よろしくお願い致します。 信号速度：10MHz 波形：矩形波 入力インピーダンス：50Ω したいこと：DC 0Vの1Vpp信号をバイアスを与えてDC -1.3Vの1Vpp信号にしたい。

レーザーの特性のひとつに、単色性というものがあります。 これは、レーザーは一般の光と違い、波長分布がなく、波長が全く同じ光でできている という意味らしいのですが、では、その一般の光だったら何かにその光を照射したときに、レーザーを照射したときとどのような違いが、なぜ、おきるのですか？

7バンドイコライザーIC（LA3607）についてですが、データシートを見ると0.07μや0.028μ、0.004μ、1600p、690p、280p、1.25μ、0.5μ、0.19μ、0.075μ、0.03μ、0.0125μ、0.005μと通販で販売されてない（特殊）コンデンサーばかりで困ってます。 やっぱり現在販売されている中で一番近い値のコンデンサーを使うしかないのでしょうか？

半導体レーザーの口径（断面）はなぜ楕円になるのでしょうか？

テレビでよく、衝撃の力が重さ（キログラムやトン）で表現されているのを耳にします。 例えば、「１キログラムのものを高さ１００メートルから落としたら、『○○キログラムの衝撃』が与えられる」などという表現です。 このような表現は、テレビでしか聞いたことが無い気がします。 強いて言うならば、力積の表現に近そうだとは思います。しかし、力積ならば、力を受け流すのにかける時間の長さによって、力の強さが変わってしまうと思います。 というわけで、テレビで使われる表現は、力を受け流すのにかける時間を計算し、それを運動量から割ったものなのでしょうか？それとも、また別の表現方法なのでしょうか？ ご存知の方がいらっしゃれば、どうかご教授ください。よろしくお願いします。