損失について

質問

損失について
今勉強中なのですがMOSFETとトランジスタの損失について質問です。
MOS-FETはDS間のON抵抗により電圧降下し熱になる損失
バイポーラトランジスタは飽和電圧VCE(sat)分ロスになる。
こう解釈していたのですが
(1)バイポーラ飽和電圧VCEの損失もやはり熱になるのですか？
(2)FETのデータシートをみるとDS間のグラフがありました。※添付画像
これはON抵抗による電圧の降下を表しているのでしょうか？
それともさらにON抵抗分損失するのでしょうか？

(3)500mA～1Aの電源をON-OFFさせる場合（ゆっくりで構わない場合）
バイポーラとMOSFETを使い分ける基準など教えていただけますか？
マイコンのポートなどで直接制御する場合は電圧で駆動できるFETが便利だと思うのですが・・・。
値段が高いとか？！
楽しいですが分からない事がたくさんあります・・・笑

稚拙な内容ですが宜しくお願いします。

回答No.1

foobar

1.電流を流せば、電流＊VCE(sat)分の損失（熱）が生じます。
2.斜めに立ち上がっている部分は、ON抵抗による電圧降下分と考えて良いかと思います。
3.ドライブするのがどちらが容易か、ON時の損失がどちらが大きいか、といったあたりを考えて選定することになるかと思います。