cagey_blue_bird の回答履歴

化学ポテンシャルについて、一応(かなり)、判ったような気になっておった のですが、最近、フェルミ分布とボース分布の場合の式を見ていたら、 ふと、混乱し始めてしまいました。 化学ポテンシャル＝逃散能とも言われ、高いほど、粒子が逃げていく のだ、と理解していたのですが、たとえばフェルミ分布では、 よく知られているように、エネルギーε準位の平均占有数n(ε)は、 n(ε)=1/[exp(-(ε-μ)/kT)+1] となり(フェルミ分布)、この式ではμが大きいほど、n(ε)が大きくなっ てしまいます。 もちろん、私の、この言い方は間違いで、 「N=∫n(ε)D(ε)dε が全粒子数の平均値になるようにμを決める」 というのが教科書に書いてあるきまり文句です。教科書では、 μの温度変化の近似計算に忙殺され、それ以上書いてあるもの はあまり見かけません。 「μはポテンシャル高いほど粒子が居なくなる」というイメージと どうしても合わず、悩んでおります。 うーん、情けない。どこで考え違いをしているのでしょうか。

どうしても分からない問題があるんです。どなたか分かる方がいらっしゃいましたらお願いします。 Tighit Binding Approximation(LCAO) に従って、固体中の原子間隔が近づくにつれ、バンド幅が広がることを説明せよ。 よろしくお願いします。

どうしても分からない問題があるんです。どなたか分かる方がいらっしゃいましたらお願いします。 Tighit Binding Approximation(LCAO) に従って、固体中の原子間隔が近づくにつれ、バンド幅が広がることを説明せよ。 よろしくお願いします。

なぜか大事なファイルを消してしまったようで・・・・ いろんなインターネット以外のことが出来なくなってしまいました。。 デスクトップ上のアイコンをクリックすると、次のようなエラーメッセージがでます。 SirC32.exe が見つかりません。 このプログラムは、種類がアプリケーションのファイルを実行する ために必要です。 です。 どうすればいいんでしょう、教えてください。

SnO2(酸化錫)のバンドギャップを教えてください。 また、化合物等のバンドギャップ(できれば、その他物理特性も)がインターネットで検索できるサイトがありましたら、こちらも教えてください。