take-mのプロフィール

私は現在大学の研究室において、化合物半導体のホール効果測定を行っています。 私が扱っている試料は、Beを一様ドープしたGaAs層を井戸層として用いたMQWの 試料です。この薄膜はGaAs層7000Å、AlAs層7000Åの試料です。 ここでキャリア密度を求める際に、伝導層がGaAs層であるために膜厚の値をGaAs層のみの7000Åとして計算しているのですが、一様ドープしているわけですからやはり14000Åで計算するべきなのではと最近思うのですが、一般的にMQWの試料のキャリア密度を求める場合、膜厚はどの値を使えばキャリア密度としての値が求まるのか最近よくわからなくなっています。実際にやられている方の意見がおききしたいです。よろしくおねがいします。

（１）GaAsPとSiのバンドギャップが知りたいのですが・・・ 　　　知っている方お願い致します。 （２）バンドギャップと限界波長の間には、 　　　どのような関係があるのでしょうか？ 　　　（バンドギャップがわかっている時の限界波長の算出方法など。） 困っています。お願いします！