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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:2MHz1kWの高周波アンプの素子は)
2MHz1kWの高周波アンプの素子は
このQ&Aのポイント
- 200k~300kHzですとスイッチング電源用といわれている高耐圧の500VのMOSFETを使ってできるのですが、どうもこれをそのまま2MHzまで周波数を上げるとうまく動作してくれません。
- このくらいの周波数ですとどんな素子を使ってどんな回路で増幅するのですか?
- 質問者は2MHz~3MHzで1kW出力の高周波アンプを作りたいと考えていますが、500VのMOSFETを使用してもうまく動作しないようです。どのような素子と回路を使用すればよいでしょうか?
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noname#230359
回答No.2
毎度JOです。 この程度のアンプは何度か設計しました >>高周波アンプを作ろうと思っています 1台だけなら買った方が安い! 量産品の設計で有れば、相当なノウハウが必要です 周波数2MHz~3MHzで1kW出力はHFアンプの技術がそのまま使えます 安定した出力1kWであれば、ドライブ電力は100W程度(NFB量による) トランジスタで行くなら入出力トランス結合、プッシュプルが2回路で、入力分配と出力合成 FETで行くなら、入出力トランス結合で2~3パラプッシュですかね 設計する場合、回路構成・部品レイアウト・個別部品の選択など考慮する点がてんこ盛り ネックとなるのは入出力トランスとNFB回路です 単一周波数での使用で有れば、同調回路が使用出来ますので、 高耐圧のFETが使用出来、回路動作が安定しますし出力効率も上がります
noname#230359
回答No.1
古い世代のFETですが、2SK410が素子選定の際のベンチマークになるように 思います。単素子では2kWは無理ですから、複数個をパラにすることを検討 して下さい。周波数帯的にはオーバースペックですが、苦労が少なく設計を 纏められそうに思います。 モトローラのMRF154なども候補でしょう。 広帯域のリニアアンプでは無理と思いますが、単一周波数のCWであれば、 スイッチング電源用といわれている高耐圧の500VのMOSFETでも 不可能ではありません。(私の経験上のはなしです) 負荷が不整合になった際のロバスト性と回路効率のトレードオフをどのよう に調整するかが設計の要点になると思います。 理論的な詰めと、実験で沢山壊して、壊れない条件を探すことが必要と 思います。