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FETの選び方について
- FETを使った12VDCモータのドライブ方法を探しています。ダーリントントランジスターとの比較で、FETの利点は「発熱」が少ないことと、電流容量が大きいことです。
- 最低限必要なドレイン電流の仕様についてお聞きしたいです。トランジスターの場合は電流の45倍の仕様が推奨されていましたが、FETも同じような仕様が必要なのでしょうか。
- MAX4Aの電流を流す場合、どのくらいの仕様のFETが適しているでしょうか?FETの方がトランジスターより少ない電流仕様でも問題はないのでしょうか?
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kousakuさんJO_Oです FETだと大変な事になってますね。 ドレイン電流20AのFETでもヒートシンク なしで、3Aまでですか・・・・ そこでトランジスターから、悪魔のささやき・・ ダーリントントランジスターの「発熱」が、 大きいですね、そのTRはコレクターどうしが 接続されたタイプですね、このTRの場合スイッチング電圧は、1段目の(E-C間電圧)0,1Vと2段目の(B-E間電圧)0,6Vで約0,7V・・・ここに4Aの電流ですから、消費電力は約2,8Wですね、ヒートシンク無しでは「パンク」でしょうね。 そこでTRを2個使って見ましょう(異なるタイプのダーリントン接続) 先のPWMの回路より→1kΩで1段目のベース→1段目のコレクターは47Ω 1/2wの抵抗で+5vへ接続(ここでの電流は約100MA)→1段目のエミッターは2段目のベース→2段目のエミッターはGND→2段目のコレクターはモーターへ・・・・ この回路のメリットは、実質のスイッチング電圧が2段目の、C-E電圧のみであることです。 1段目は、2SC1815でもいいでしょう 2段目は、2SC5200とでもしましょうか このTRは、VCOB(耐圧)230V、IC(最大電流)15A、PC(コレクター損失)150W@無限大のヒートシンク、HFE(直流電流増幅率)100@25℃、4Aでの C-E間飽和電圧0,1V ここに4Aの負荷電流ですから、消費電力は0,4W、これならヒートシンクはいりませんね。 と・・・この様に設計を進めて行く訳です。 kousakuさんも、どんどんいろんな物に挑戦しましょう、そして失敗するでしょう、その時 自力で解決する努力をしましょう、解決する過程でいろんな(雑多)な知識も吸収できます。 kousakuさんは、プロフによると独学のようなので、どうしても解決できない時は、ここ(技森) の皆さんが、相談に乗ってくれますよ・・・・
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出遅れました。 既に良い回答が出ていますね。 私も入手性の良いもので使えそうなのを1つ上げておきます。 2SK3142(ルネサス) http://www.renesas.com/avs/resource/japan/jpn/pdf/transistor/j208675_2sk3142.pdf #4さんの仰るようにゲート電圧がポイントですよね。 どれだけ高く取れるかでON抵抗が決まってきます。 あと、別な方法でモータードライバでの制御も便利です。 例えば、STマイクロのL6203でしたら http://www.st-japan.co.jp/99_04_search/cgi/get_pdf.pl?L6203 ON抵抗が0.3Ωと高いので熱対策は必要ですが 実効電流が4A(MAX:5A)で、発熱(過負荷)時には 過負荷制限機能が働くというメリットもあります。 まあ、使い方と定格次第で使えるのかは判断できませんが・・・
お礼
ありがとうございます。2SK3142をネットで調べたら、超々低抵抗ですね(4mΩ)。これなら、4A流しても放熱板が必要ないかもしれないと思います。
勉強になってるようですね。ヨキカナヨキカナ 「何倍くらいがいいのか?」論を外れて、何がいいか選ぶと、 「2SK2985」(東芝・・・しか調べてません)が400円くらいで通販してますね。 小さいですし、ゲート電圧が10V以上なら発熱は0.1Wくらいです。 放熱器無しでも指で触って暖かいと感じられるかどうかくらいですかね。
お礼
回路を考えてうまく動作した時は、なんとも言えず嬉しいです。 ご紹介いただいたFETはすごくいいと思います。DS(on)抵抗がすごく小さいですね(5.8mΩ)。だから発熱が極端に少ないということだと思います。 いい物を教えていただきましてありがとうございました。放熱器にお金やスペースや工作時間をかけるよりも、こういうFETを使ったほうが結局は得なのかもしれないと感じました。
こんにちは。 趣味とのことですから、まずはやってみては。MAX 4Aの状態がどのぐらい続くのか。PWMもするのだし。放熱器が必要ならば、ケースにねじ止め(FETの背中が絶縁---モールドタイプ---ならば何も問題ありません。絶縁されていない場合は、それで問題ないか考えて下さい。問題あるなら、FETとケースの間にマイカ板などの絶縁板が必要です)すれば? おそらく1個\200程度ですから、ぜひ試してみてください。
お礼
ご回答ありがとうございます。 実験は致しました。その結果、トランジスター(2SD1572ダーリントン)よりも2SK2232が格段に発熱が少ないと感じました。 おっしゃるとおり、シャーシにネジ止めするのが、最も簡単だと思います。
放熱をどのように考えるかで変わってきます。難しいですよ。 具体例をあげましょう。 東芝の2SK2782と言うFETがあります。目標電流の5倍の数字が出てきます。 ? ドレイン電流 20A ? ドレイン・ソース間オン抵抗 0.09ΩMAX(Vgs=4V) ? チャネル・ケース間熱抵抗 3.125℃/W ? チャネル・外気間熱抵抗 125℃/W ? チャネル温度150℃以下で使用すること ?は、無限大の放熱器をつけた場合の話であって、放熱器無しの場合は以下のように計算します ??より、周囲温度25℃で使用する場合は1Wの損失(=発熱)しか許容されません。 損失はIxIxRですから、R=0.09を代入して、I=3.33A なんと、データシート上の最大電流の6分の1しか流せず、目標値に及びません。しかもそのときケース表面は?より、3.33x3.33x3.125+25 = 約60℃と火傷寸前の温度となり、気温30度を越える夏だと壊れてしまいます。 長くなるので途中の詳しい計算方法は割愛しましたが、ググればいくらでも出てきます。 つまりFETの外形にもよりますが、このタイプで放熱器無しならば6倍を超えるデバイスが必要であると導き出せます。 では、簡単な放熱器をつけたら?ケースの中に収めて周囲温度が上がる環境なら?ケースが金属なら?プラスティックなら? そりゃもう、やってみるか、巨大なFETにするかですね。
お礼
いろいろ計算までして頂いて誠にありがとうございます。内容大変参考になりました。「放熱」は複雑だと思いました。流す電流の56倍の規格のものが必要そうです。さらに何らかの放熱板も使用した方がいいと思いました。
お礼
JO_O様。こんにちは。このご回答内容は私にとって「目からウロコ!」でした。発熱に関してもう一度トランジスターでやってみる価値がありそうだ、と思ったからです。「今まで使っていたのは2SD1572ですが、ダーリントントランジスターは発熱が大きい。」とばかり思っていましたが、お話を伺いダーリントンの回路次第(2つに分ける)で1/5にも1/6にも発熱が減らせるというのは大きな驚きであり収穫です。 実験の価値が大いにあると思います。誠にありがとうございました。2SC5200とほぼ同じような規格の2N3055なら手元にありますので!