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LSI 自己整合技術
「自己整合技術が素子の電気特性をどのようにかいぜんさせるのか小信号アナログ回路動作の観点から考えなさい」という問題が出たのですが、言葉での説明は本などに載っているのですが、小信号アナログ回路動作から考えているものが載っていません。どうすれば解けるのかご存知の方は詳しく教えてくれませんか? またはサイトを教えてくださいお願いします。
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自己整合技術について調べたら、次のように説明されていました。 自己整合技術:一度のリソグラフィプロセスのみで、トランジスタ主要部を作成することにより、マスクの合わせ精度を考慮せずに素子設計を行うことが可能になる。この結果、寄生容量や寄生抵抗が増大する余分な領域を削減でき、素子性能(高速動作)を向上できる。 小信号アナログ回路に応用した場合、寄生容量や寄生抵抗が小さくなる訳ですから、GB積の増加、雑音の減少、高集積化などが期待できるのではないでしょうか。
お礼
やはり誰もできてませんでした。 こんなのは教授ぐらいしかわからないと思います。 ホントにありがとうございました。