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トランジスタ実験での規格表の補正方法とは?
- 電気電子工学科の実験で、トランジスタを使用して回路構築や値の測定を行いました。実験レポートには、規格表との異なるバイアス点の考察があります。先生のヒントによると、規格表のhパラメータを用いて各値を補正するとのことですが、具体的な方法がわかりません。教えていただけませんか?
- 実験で使用したトランジスタは、TOSHIBAの2SC1815Y npn形です。求める値は、hパラメータのhfeとhieです。実験結果から得られた値は、Vce=4.86VとIc=4.14mAです。ただし、この結果はVce=12VとIc=4.14mAの場合とVce=4.86VとIce=2mAの場合の値を混在させてしまっています。そこで、正しい値を求めるために、規格表のヒントを使用して補正する必要があります。具体的な補正方法がわかりません。お願いいたします。
- トランジスタの実験で使用したバイアス点は規格表と異なります。実験レポートには、このバイアス点に関する考察があります。先生のヒントによると、規格表のhパラメータを使用して各値を補正すればよいとのことですが、具体的な方法がわかりません。どなたか教えていただけませんか?
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hパラメータ-IC特性-----条件が VCE=12V で実験時のVCE=4.86Vの条件と異なる。 hパラメータ-VCE特性----条件が IC=2mA で実験時のIC=4.14mAの条件と異なる。 手順>> 1) hパラメータ-IC特性で ICの値が実験で得られた値 IC=4.14mA と hパラメータ-VCE特性で使われている条件の IC=2mA それぞれのICの値でのhfeおよび、hieの比を以下のように読み取る。 hfe hie @IC=4.14mA: 195 1.5kΩ @IC=2mA : 180 2.5kΩ IC=2mAの時 の値に対する 4mAの時の値の 195/180 1.5/2.5 倍率K: 2) hパラメータ-VCE特性で 実験で得られた VCE=4.86V での hfeおよび hieの値を読み取る。 @VCE=4.86V:hfe=185 hie=2.2kΩ これらの値は条件がIC=2mAなので、1)で求めた倍率kを用いて以下のようにIC=4.14mAの値に換算します。 hfe=185×(195/180)= 200 hie=2.2kΩ×(1.5/2.5) = 1.3kΩ これが補正結果となります。
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- KEN_2
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実験回路は、電源電圧12Vでコレクタ負荷は抵抗ですか?定電流電源ですか? ベース電流が測定されていなければ、 hfe・hieは計算できません。 また、規格表は3ページのhパラメータ-Ic 表から「Y」を選んだだけでは近似値が読めるだけです。 >これは、Vce=12V Ic=4.14mA のときと Vce=4.86V Ice=2mA のときの値ですよね?? f=270HzのACパラメータ特性で、多少実験回路と異なります。 >この考察では、 Vce=4.86V Ice=4.14mA のときの値を出したいのですが。。。 IbでIce=4.14mA を割れば、Vce=4.86V 時のhfeが計算できます。 Vceの印加電圧とTr素子の発熱で多少変化します。 規格表は、リンク先が不正ですので下記を参照ください。 2SC1815 hFE (1)Y: 120~240 http://akizukidenshi.com/download/2sc1815-y.pdf
- k_kota
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回路図も何も無い状態では誰も回答できないと思います。 大学生ならせめて聞き方くらいは勉強できないですかね。
お礼
回答ありがとうございました。これで、明日提出のレポートが書けます!本当にありがとうございました!!