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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：トランジスタのトランジション周波数と電圧増幅率の周波数特性の関係につい）
トランジスタのトランジション周波数と電圧増幅率の関係について
このQ&Aのポイント
- トランジスタのトランジション周波数と電圧増幅率の周波数特性の関係について質問させていただきます。
- トランジション周波数80MHzのトランジスタの場合、電圧増幅率が5倍でも10倍でも、特性は図2のラインに乗ってくるものだと考えていますが、この考えは正しいでしょうか？
- トランジスタのfTが80MHzの場合、8MHzまでは10倍のゲインが得られるといった情報がありますが、具体的な説明が欲しいです。
- kurosukenken
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質問者が選んだベストアンサー
あまり自信はないですが、同じトランジスタ回路で、電圧利得が100倍から10倍になっているということは、負帰還回路の帰還量が10倍ということですよね? ということは、広域の遮断周波数は10倍されるので、図3のようになると思います。
![その他([技術者向] コンピューター) イメージ](https://gazo.okwave.jp/okwave/spn/images/related_qa/c205_2_thumbnail_img_sm.png)
お礼
さっそくのご回答ありがとうございます。 回路図も載せればよかったかと反省しております。 こちらで考えていた回路はエミッタ端子をそのままGNDに落とした回路なので回路には負帰還回路はありません。この回路で電圧増幅率を変更するというのは コレクタ電流はそのままでコレクタ抵抗を変更するとともに電源電圧もあげることを考えていました。 が、ご指摘にあるように確かに負帰還が関係しているように思われます。Spiceで検証してみると Cbc の値を 0 にしてみると 上の回路のカットオフ周波数が同じになりました。 これを足がかりにもう少し調べてみます。ありがとうございました。
補足
調べた結果 エミッタの内部抵抗やらなにやら関係しているということがわかりました。 たしかに内部抵抗で負帰還がかかってしまいますね。 とりあえず参考になったURLをのせておきます http://www.cmplx.cse.nagoya-u.ac.jp/~furuhashi/education/Radio_note/chap3.pdf なんとか解決しそうです。ヒントをありがとうございました。