hパラメーターについて

質問

hパラメーターについて
先日、実験でエミッタ接地回路においてVbe-Ib特性、Ib-Ic特性を測定し、その特性曲線に接線を引いてhieとhfeを求めました。接線は何本か引けたのですが、そのうち1本の接線から求めたhie、hfeの値がトランジスタの規格の値に近くなる理由はどうしてでしょうか？同じ曲線からhパラメーターを求めているのに、接線によって値が全く違うのは何となくしっくりきません。
分かる方、ご教授お願いします。

回答No.1

imoriimori · ベストアンサー

動作点の違いではないでしょうか。値は動作点次第ですから。
つまり、規格はある動作点での値。実験データで接線を引いた場所はその動作点とは少し違うのでは？

あるいはまた、メーカーのデータは本格的な測定器。学生実験ではｄｃで電流電圧特性を見て測るのでだいぶ違う。

あとは個体差なども考えられますが。

回答No.2

KEN_2

メーカーのデータシートは、カーブトレーサを使ってスイープ波形で測定していますので、特にVbe-Ib特性、Ib-Ic特性を測定の場合トランジスタのジャンクション温度が影響し難い状態で測定していますので、温度上昇の影響を受け難くなっています。
それに対して、直流的にDC測定する場合Icが100mA程度流す領域で測定すると、ジャンクション温度が上昇してVbe特性は負性特性を持ちますので、Vbeは低下してIcが増加する傾向があります。
hパラメーターを求める場合は、Ic電流が約10mA以下のジャンクション温度の領域で測定し、大電流領域は測定値を補正して読み取ります。

＊過去の質問で何回も同様の質問が散見されますので、検索してみてください。
#もし、オシロスコープと掃引発信器を定電流電源と組合わせれば、カーブトレーサと同様な測定が可能です。
　オシロスコープがあればAC特性の簡易確認が可能で、メーカーのデータシートに近い値が得られます。