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CMOSの中身ってMOS-FETなのでしょうか?
CMOSデバイスのON抵抗について調べているのですが、CMOSとはP、Nch型MOS-FETで構成されたデバイスの事をゆうのでしょうか? ※調べたいICはルネサス製HD74HC541Pです。 またMOS-FETで構成されているのであればON抵抗は数mΩ程度なのでしょうか?
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>CMOSとはP、Nch型MOS-FETで構成されたデバイスの事をゆうのでしょうか そうです。より詳しく言えば、P、Nch型MOS-FETを対(ペアー)として内部回路を構成したMOS-FETでロジックに、静電気対策として入力段に保護回路を入れています。 >MOS-FETで構成されているのであればON抵抗は数mΩ程度なのでしょうか? 74HCシリーズの場合、25Ω前後です。 出力電圧Hの電圧降下規格:VDD=5Vとした時 Hレベルの出力範囲4.9V~5Vでソース電流IoH=4mAで出力電圧降下が0.1Vとすると出力抵抗Rout(ドレイン側)=0.1V/4mA=25Ωと算出されます。Lレベルの出力についてもシンク電流IoL=4mA、Lレベルの出力範囲0V~0.1Vから同じ出力抵抗Rout(ソース側)となります。 一般のCMOS-ICの出力抵抗は数10Ωですね。
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- hs001120
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>CMOSとはP、Nch型MOS-FETで構成されたデバイスの事をゆうのでしょうか? そうです。 >※調べたいICはルネサス製HD74HC541Pです。 計算の仕方はNo1,2さんが解説済みですので割愛しますが、 データはメーカーの商品説明に書いてあります。 http://documentation.renesas.com/eng/products/logic/rej03d0628_hd74hc540_541ds.pdf >Electrical Characteristics 電源電圧、入力電圧の他に気温によってもON抵抗はかなり変わる事にご注意 >またMOS-FETで構成されているのであればON抵抗は数mΩ程度なのでしょうか? 既に回答がついていますが、数十Ω程度です。 たぶん、良くある勘違いで 「市販のパワーMOSFETが数mΩ程度」→MOSFETと言う物は数mΩ程度? という誤解を されていないでしょうか? もしそうであれば、これもメーカーの商品説明に書いてある事に過ぎませんが http://documentation.renesas.com/jpn/products/transistor/apn/rjj05g0003_power_mos.pdf >2.1.3 パワーMOSFETの構造 を見てみる事をお勧めします。 パワーMOSFETはその内部で多数のMOSFETを並列接続しています。 乱暴な例えですが、1素子のON抵抗は50Ωくらいのものでも1万個並列にすればON抵抗5mΩになる。 という仕組みです。
- midare_oni
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CMOSとは相補型MOSという意味です。つまりPch-MOSFETとNch-MOSFETの両方を1つのICチップ上に搭載したICプロセスの名称として使われます。 ON抵抗はMOS-FETの線形領域での電流-電圧特性から求められるのですが、PMOS(Pch-MOSFET)は入力電圧が低いときにON抵抗が小さくなり、NMOS(Nch-MOSFET)は入力電圧が高いときにON抵抗が小さくなります。この2つを並列接続すると電源電圧範囲のどこでもそれなりにON抵抗を小さくできます。 つまり、ON抵抗は入力信号の電圧により変わり、電源電圧又はGndに近い方が小さく、更に電源電圧が高い方が小さくなります。 ただ、74HC541はInverting 3-STATE Buffer(ON/OFF/H-Zを取るバッファー)なのでON抵抗とは関係ないと思うのですが? (出力電流に対する電圧降下を問題にしているのでしょうか)
- masudaya
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カタログに出力電圧の項目があると思います. これを用いればON抵抗も止まると思います. 出力電圧の項目には電源電圧(Vcc)と出力電流(Io)が記載されています.High出力の時は(出力段の内部回路はトーテムポール型だとすると.)High出力の時のON抵抗をRhとすると Voh=Vcc-Ioh*Rh なので, Rh=(Vcc-Voh)/Ioh と求めることが出来ます. Low出力の解きも同様に,ON抵抗をRLとすると VoL=IoL*RL なので, RL=VoL/IoL と求めることが出来ます. こんな感じで分かりますか. ちなみにCMOSはプロセスを指しています.実際はほとんどMOS-FETで構成されていますが(R,C.Lも集積されているのでMOS-FETだけで構成されているわけではない.).