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励起子吸収と自由キャリア吸収の違いについて。
励起子吸収と自由キャリア吸収の違いについて教えてください。 今ある自分の中のイメージは ○励起子吸収 ・半導体における光の吸収。 ・励起子とは価電子帯のホールと伝導帯の電子の対。なのでエネルギー的には禁止帯を挟んだ結びつき。 ・励起子を生成する可能性がある場合の光吸収スペクトルはエネルギーギャップEgの値より低いところに出る。(Egより小さなエネルギーで励起子を生成できる) ○自由キャリア吸収 ・金属における光の吸収。 ・自由キャリアとは電子またはホールそのもの。 なのですが、合っているでしょうか。また、他に特徴があればお教えください。
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励起子吸収はこれでいいような気がします。 自由キャリヤ吸収は、2つの意味があり、この場合、どっちを意図しているのか、ちょっと分りかねます。 ひとつの意味は、励起子効果が無視できる場合の半導体のバンド間遷移を自由キャリヤ吸収と呼びます。 また赤外域でのキャリヤのバンド内の遷移(つまりバンドギャップを飛び越えていない)で光が吸収される現象です。 これは金属でも半導体でも起こります。この現象も自由キャリヤ吸収と呼ばれます。
お礼
回答ありがとうございます。 なるほど、「自由キャリア吸収」には2種類考えられるというわけですね。 色々と参考書を漁ってみて混乱してしまったのはこのせいかもしれません。 これを頭に入れてもう一度勉強し直したいと思います。