トランジスタの増幅度及び増幅率

質問

トランジスタの増幅度及び増幅率hfe、βの値を上げるにはどのようなトランジスタを作ればよいのでしょうか？

回答No.3

utyuutarou

同じ特性のトランジスタ2本をダーリントン接続をします、コレクタ同士接続して、前のトランジスタのエミッタをベースに接続します、トランジスタヲ合成すると、単体でhfe40倍を40×40倍にしています
高い周波数を増幅する素子では、高くなるとhfeが下がるので、同じトランジスタをシリコン基板上で複数、並列つなぎをする、オーバーレイトランジスタにしてhfeを値をあげます

回答No.2

anachrockt

高耐圧トランジスタでは，このようにhFEは数十程度ですが，
http://www.semiconductor-sanyo.jp/ds_j/N1011B.pdf

GTBTプロセス採用で1000とか
http://www.semiconductor-sanyo.jp/ds_j/N7781.pdf

要するに，hFEを大きくするプロセスを採用するのが一番でしょう．

回答No.1

inara1

半導体工学の課題だと思いますが、答えだけでいいのなら、参考URLの一番最後の文章に出ています。

参考URLは α　（ベース接地での電流増幅率）を大きくするための条件ですが、エミッタ接地での電流増幅率 β（hfe） は
　　　β = α/( 1 - α )
なので、β を大きくするというのと α を大きくする（最大値は1）のは同じことです。

普通のトランジスタは β = 50～500 程度ですが、β が大きいほど良いのになぜそのようなトランジスタを作らないのか、というのが次の課題でしょうか。

参考URL：

http://akita-nct.jp/tanaka/kougi/2008nen/4e/7-3zouhukuritu.pdf