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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:サイクリックボルタモグラムからの電気二重層容量の計算の仕方について教えて下さい。)

サイクリックボルタモグラムからの電気二重層容量の計算方法

このQ&Aのポイント
  • サイクリックボルタモグラムからの電気二重層容量の計算方法を教えてください。
  • 電気二重層容量の計算方法について、具体的な手順を教えてください。
  • 電気二重層容量の計算において注意すべき点があれば教えてください。

質問者が選んだベストアンサー

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  • c80s3xxx
  • ベストアンサー率49% (1634/3294)
回答No.3

> どうしてなのでしょうか? やってる計算に意味がないからです. 正弦波応答の式をふつうのCVに当てはめてどうするんですか. CVは,ふつうは三角波. だいたい,正弦波の場合だって,i=C(dE/dt) にしたがって電流が流れているので (これがコンデンサというものの本質的な性質なので),E(t) = E0 cosωt で i(t) がどうなるか,って考えてみて欲しいですなあ.というか,交流理論をちゃんと勉強した方がいいでしょう.

その他の回答 (2)

  • c80s3xxx
  • ベストアンサー率49% (1634/3294)
回答No.2

バックグラウンドの電流の効果を適切にさっ引けるならその通りです. コンデンサ単独やコンデンサと抵抗の並列回路だったらどうなるか,考えてみた方がいいでしょう. 電気化学系は,並列抵抗成分が著しい電位依存性をもつのがふつうなので,それをどう捉えるか.充電領域でも,溶媒電解の電流が完全に無視できる場合は少ないでしょうしね.

MADADA
質問者

お礼

回答ありがとうございます。 ちょっと計算してみたのですが、 i=C(dE/dt) =C*V*f =C*V*(ω/2π) ∴(2π/C*ω)=V/i=Z 一方でコンデンサのインピーダンスは Z=1/ωC で表されます。 これって2πの部分だけ上の式と異なりますが、どうしてなのでしょうか?

  • c80s3xxx
  • ベストアンサー率49% (1634/3294)
回答No.1

ふつうはi=C(dE/dt) から求めます. なので,C の電位依存性も CV カーブから求められます.

MADADA
質問者

お礼

回答ありがとうございます。 つまり容量を知りたい電位の位置での電流密度の値を掃引速度で割るだけで求まるということなのでしょうか? 合っていますか?

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