リーク電流と温度の関係

質問

ＩＧＢＴにゲート0Vのときのコレクターエミッタ間のリークと温度の関係式を教えてください。

リーク電流は、ＰＮ結合逆方向に電圧が印加によってＰ型半導体の少数キャリアがエネルギーの低いＮ型半導体の多数キャリアに移動することと知りました。
温度が上がればSiから自由電子が多くなりキャリアは多くなるとは思うのですが、根拠になる式は不明です。
なにか参考になる本やURLを紹介していただけませんか？

回答No.1

miran_2006

無責任な回答ですが・・・
リークに対する損失なんて、ほとんど無視できる範囲では？
リーク電流での温度上昇が問題になるって話も聞いたことないし・・・
１０００Ｖ、数十ＡクラスのＩＧＢＴで遮断電流が最大１ｍＡくらいなので最大定格の１万分の１・・・
＞根拠になる式は不明です。
温度が上がるとリークが大きくなるのでは？と心配されているのなら普通はデータシートに最大値を記しているので、それ以下と言う認識で充分のような気がします。

お礼

回答ありがとうございます。
ＩＧＢＴを使う分には十分かもしれないです。
でも現在ＩＧＢＴの開発側にいるものでしりたかったです。
自分で探してみます。