CMOSイメージセンサのダイナミックレンジと暗電流について

質問

CMOSイメージセンサのダイナミックレンジの一般的な定義式はあるのでしょうか？CCDのDRの定義式はありますが。。。
そもそもダイナミックレンジを決める要因は何なのでしょうか？

また暗電流を低減することでダイナミックレンジは広くなるのでしょうか？
もしそうだとすると暗電流の低減により検出可能な信号が増加するためにダイナミックレンジが広くなるということなのでしょうか？
暗電流と量子効率および感度にはどのような関係があるのでしょうか？

そして、解像度はPDサイズによって決まるのでしょうか？
だとすると高画素化する必要性はあるのでしょうか？

質問ばかりで申し訳ありませんが詳しい方宜しくお願い致します。

回答No.1

angkor_h

回答では無いので、無視してください。

こういう類は、「CMOSイメージセンサ」のメーカサイトの技術資料をあさると説明されています。
あなたがメーカの「CMOSイメージセンサ」利用技術者であれば、その部品メーカの営業マンに聞けば、技術資料がすぐに届きます。

>そもそもダイナミックレンジを決める要因は何なのでしょうか？
暗電流はノイズになるため、これがダイナミックレンジを左右する。
それとも感度対波長の範囲?

>検出可能な信号が増加する　　>感度には
暗さの深さを言っているのでしょ?　明るさはフイルタで制御できるから。

>高画素化する必要性
これは精細さでは？