デュアルトランジスタのhie

質問

デュアルトランジスタ（2SC3381）を使って差動増幅回路を組んだのですが、利得の理論値を求めるためにhieが必要なのですがどのように求めたらいいのですか？
hfeに関しては規格表に載っていたのですが(min)=200、(max)=700とあるのですが、平均を取ってhfe=450とするのがふつうなのでしょうか？

回答No.3

tadys · ベストアンサー

規格表に載っているグラフは代表的なサンプルの特性です。
同じコレクタ電流が同じならばｈパラメータが同じと言うわけではありません。
自分の使っているトランジスタのｈパラメータがいくつかと言うことは測定しなければ分かりません。
hfeについては規格表に最大、最小が書いてあるでしょうが、この範囲でばらつくと言うこと、hfeが２００のものも有れば７００のものもあるということです。
その他のパラメータについてはばらつきの範囲を書いてあることはまれなので代表値から推測することになります。
正確な値が必要な場合は実物を測定する必要があります。（そこまでやる人は余りいません。）

回路設計については、例えばゲインを２０ｄB±３ｄBにする必要があるとした場合、
hfeが２００でも７００でもゲインがこの範囲になるようにするのです。
ただし、hfeがこんなにバラついいては不可能かもしれません。
半導体メーカーではhfeについてはおよそ２倍の範囲になるようランク分けをしていますので
ランクを指定する（例えば２００～４００）ことによりゲインのばらつきを少なくすることが出来ます。

差動増幅器のコレクタ電流についてはhfeの影響は余り受けません。
回路構成によりおよそ決まってしまいます。というよりはhfeの影響を受けにくいような回路にします。
hfeの影響が大きいのは入力バイアス電流です。

お礼

お礼が遅くなりすいません。詳しいご説明ありがとうございました。

回答No.2

mtld

東芝サイトにグラフが載ってます　pdfです　参考URLの　hパラメーター-Ic図

大抵このように参考としてグラフが載っている事が多いです　hie　hoe hre　が纏めて載ってます

但し条件が広くはありませんので希望の条件に適うか解りません　参考にはなるでしょう
保障されませんが参考のグラフです　何も無ければ困ってしまいますので　普通はこのように他のパラメーターも載る事が多いです
例えばft-Icとか　hfe-Icとか　電流電圧によってどのように変化するかが解ります

参考URL：

http://www.ne.jp/asahi/evo/amp/device/2SC3381.pdf

お礼

回答ありがとうございます。参考にします。

回答No.1

tadys

hパラメータの定義に従って測定する必要があります。
普通はいちいち測定しないでデータシートから読み取れば良いでしょう。

平均を取るのではなく、ばらつきの最大最小の範囲で回路の性能が満足するように設計します。
全てのパラメータのばらつきを考えると設計条件がシビアすぎるときはパラメータの相関や分布を考えて統計的な処理で必要な範囲を決めます。

例えばhfeを測定して選別すれば、他の条件を緩める事が出来ます。

お礼

回答ありがとうございます。
重ねての質問になりますが、回路の性能が満足するように設計するというのは、No.2さんの参考URLのグラフから、自分の組んだ回路のコレクタ電流を測定し、それに合わせてhパラメータを読み取るのでしょうか？