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モータのシミュレーションの問題をやっているのですが、位相進み補償についての問題が出ました。 「位相進み補償によると、どのように位相余裕を増加させ、ダンピング特性を改善できるのか、Bode線図を使って説明せよ。」 というものです。 モータのノイズ(高周波)を抑えるため？PIDのD補償の代わりに位相進み補償を適用するというのは調べたんですが、位相余裕の増加、ダンピング特性の改善は何故できるのかといのが分かりません。 （前者はなんとなくボード線図見れば分かるのですが、後者は全然分かりません） どなたか分かりやすく説明していただける方、もしくは詳しく記載されているサイトなんかご存知でしたらお教え願えないでしょうか？

放電についてよく分からなくて困っています。 まず、私が調べたところ、気体や水中での放電ではラジカルが生成しますが、水中の通電では電気分解が起こり、あまりラジカルは生成しないようです。 放電と通電は絶縁破壊後はどちらも電流が流れるという点では同じに思えるのですがなぜこのような違いが生まれるのでしょうか？ また、気体では通電は起きるのでしょうか？ 勉強不足で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。

MOS-FETが飽和領域で動作するとき、厳密なドレイン電流値を見積もるにはチャネル長変調効果と基板バイアス効果を考慮しなければなりません。 それでは、MOS-FETが線形領域で動作するときはチャネル長変調効果は効いてくるのでしょうか？この場合、飽和領域の時と同じように、(1+λVds)が掛け合わせるだけなのでしょうか？λ：チャネル長変調係数、Vds：ドレイン-ソース間電圧とします。 （なお、基板バイアス効果は効きそうな気がします。）

http://www1.ezbbs.net/08/yukie/img/1184648771_1.JPG スピーカを鳴らすためのアンプ。Voにスピーカをつなぐ。 Tr1とTr2のベース電流。Tr1とTr2間のベース電圧は１．２Vでこの値はTr1とTr2のベースとエミッタ間の電圧がそれぞれ０．６Vなので２個分で１．２V。これでスイッチングひずみを防ぐ。R5とR6は０．５Ω程度。 具体的な数値の方がわかりやすいので、Tr1のTr2のhfeを１００、Voにつないでいるスピーカを８Ω１Ｗ（最大電圧４Ｖ～－４Ｖ　最大電流０．５A～－０．５Aになる）Tr1のベース電圧を８．４V、Tr2のベース電圧７．２VでTr4のコレクタに４０ｍA流すように設計した場合、 １．Tr1のベースに流れる電流はどうやって求めてらいいですか？（最大０．５Aがスピーカに流れるように設計したい） ２．どんな状態のときTr1がONでどんな状態のときTr2がONになるのかわかりません。本には確かにスイッチングひずみを解消するためとあるがTr1とTr2のベース、エミッタ間の電圧が１．２Vの時はTr1,Tr2はONしてるのかOFFしてるのかわかりません。