gontarohk の回答履歴

フォトダイオードの構造は基本はpn接合です。別に暗電流を抑える意味で pnp型（あるいはnpn）の埋め込み型フォトダイオードがあります。 同時に、このpnp構造（あるいはnpn）では空乏層の厚さがpn構造と比べて厚くなるので 光感度も向上すると思います。しかし、埋め込み型の光感度はpn型より 低い特性があるらしいのです。特に長波長側の光で。 素人感覚では空乏層が厚いほど感度も高いように思います。なぜ 埋め込み型の光感度はpn型より低くなるのでしょうか？

アメリカ人の物理学者（たしか、シェルダン・グラショウ博士だったと思います。）が書いた文章に、 「物理学者の世界共通語は、訛った英語である。」と書いてあったのを読みましたが、これはどういう意味でしょうか。 「訛った英語」とはどういう英語なのでしょうか？

成形でもモールドでもいいのですが、透明プラスチックのプレートなどに残留応力がしている場合、その物には複屈折が生じることは大まかにですが分かりました。 しかし、実際にどのような複屈折がどれだけ存在しているのかといった定量的な話ができずに困っています。 定性的には2枚の直交した直線偏光板の間にモノを入れれば存在の有無や傾向は見て取れますが、それを「これだけの複屈折が存在しています」と説明するためにはどのような方法があるのでしょうか。 測定方法および実際に測定できる測定器などをご紹介ください。 よろしくお願いします。

フェムト秒レーザーのビームを長い距離飛ばしたら、パルス幅は群速度分散で伸びるのでしょうか？ また、どのくらいの距離飛ばしたら、どのくらいパルス幅が延びるのかという理論式などはありますでしょうか？ どなたか教えてください

固体物理の勉強をしています。 体心立方構造の(hkl)面の逆格子点 g*＝ha* + kb* + lc*を逆空間で描くと面心立方構造になるらしいのですが、理由がわかりません。 分かる方いましたら、教えてください。お願いします。

バンド分散（E－K図）を描くとき周期ゾーン形式で書くことが多々あります。でも自分にはまったく理解できません。なぜE（ｋ）＝E（ｋ＋G）が成り立つのでしょうか?Eはｋに対してGだけの周期性をもつのでしょうか？自由電子的なイメージしか持っていない自分からすると波数ｋが増えるのにエネルギーが増えないってのが納得いかないんです…というか、周期ゾーン形式と拡張ゾーン形式とは明らかに矛盾しませんか？同じものを表すんですか？

　半導体などで、熱平衡状態ではフェルミレベルを、光照射などでキャリアが発生した非平衡状態の場合でも、ある微小時間、ある微小空間では平衡状態(擬平衡状態)と考え、そこで擬フェルミレベルをつかっていますよね～ 　ここで疑問なのは、 フェルミレベルとは違って、なぜ擬フェルミレベルに関しては、電子と正孔に分けて考えなくてはだめなんでしょうか？ 　根本的に擬フェルミレベルについて理解が足りない気がします。よろしくおねがいします

熱平衡状態での半導体におけるバンドベンディング(バンドの曲がり)が光照射によってフラットになることについての質問です。 定性的には、光照射により高密度に発生したキャリアが、表面の電荷を遮蔽することで達成されることと理解できますが、それを数式的に扱うにはどうすればよいのでしょうか？ surface photovoltageの文献をいくつか調べた限りでは、低密度励起の場合において、定常状態でのバンドベンディングの解消に話が限られています。 何かよい方法もしくは、よい文献があれば是非教えていただけないでしょうか？

統計物理の問題でどうしてもわからない問題があります。 非常に初歩的な問題かもしれませんが、ご指摘よろしくお願いします。 問題は、『スピン１／２のＮ個の粒子を考える。スピンが上を向く確率をｐとするとき、磁気モーメントのゆらぎ<(ΔＭ)**2>はいくらになるか。ただし、Ｎ個の粒子は統計的に独立であるとし、１粒子の磁気モーメントの大きさをｍとする。』というものです。 私のやり方は以下の通りです。 (1)簡単のため、１粒子系を考えました。 確率ｐが与えられているので、磁気モーメントの平均値を <M>= mp + (-m)(1-p) <M**2> = (mp)**2 + {(-m)(1-p)}**2 と求め、ゆらぎを <(ΔM)**2> = <M**2> - <M>**2 = 2p(1-p)m**2 と求めました。 しかし、これをＮ粒子系に拡張することがどうしてもできません。 （２）キッテルの「熱物理学」の第１章では、 Ｎ数を、アップスピンの数とダウンスピンの数に分けて、両者の差（スピン差）を2sとおいて、状態数（ガウス分布になる）を計算し、'<(2s)**2>=N'と求めていました。正味の磁気モーメントは2smなので、 <(ΔＭ)**2> = <(2sm)**2> - <2sm>**2 = Nm**2 　？？？ これでは、確率ｐが一切考慮されていません。 ◆ちなみに、解答は4Np(1-p)m**2です。 ここでお願いです。私のやり方の誤りは何なのか、 どのような対処をするべきなのか、ご指摘をお願いします。

統計物理の問題でどうしてもわからない問題があります。 非常に初歩的な問題かもしれませんが、ご指摘よろしくお願いします。 問題は、『スピン１／２のＮ個の粒子を考える。スピンが上を向く確率をｐとするとき、磁気モーメントのゆらぎ<(ΔＭ)**2>はいくらになるか。ただし、Ｎ個の粒子は統計的に独立であるとし、１粒子の磁気モーメントの大きさをｍとする。』というものです。 私のやり方は以下の通りです。 (1)簡単のため、１粒子系を考えました。 確率ｐが与えられているので、磁気モーメントの平均値を <M>= mp + (-m)(1-p) <M**2> = (mp)**2 + {(-m)(1-p)}**2 と求め、ゆらぎを <(ΔM)**2> = <M**2> - <M>**2 = 2p(1-p)m**2 と求めました。 しかし、これをＮ粒子系に拡張することがどうしてもできません。 （２）キッテルの「熱物理学」の第１章では、 Ｎ数を、アップスピンの数とダウンスピンの数に分けて、両者の差（スピン差）を2sとおいて、状態数（ガウス分布になる）を計算し、'<(2s)**2>=N'と求めていました。正味の磁気モーメントは2smなので、 <(ΔＭ)**2> = <(2sm)**2> - <2sm>**2 = Nm**2 　？？？ これでは、確率ｐが一切考慮されていません。 ◆ちなみに、解答は4Np(1-p)m**2です。 ここでお願いです。私のやり方の誤りは何なのか、 どのような対処をするべきなのか、ご指摘をお願いします。

なだれ降伏ではpn接合の不純物濃度は低い場合に起こりやすく、ツェナー降伏では高い場合に起こりやすいと聞きますが、これはなぜなのかわかりません。 自分なりに考えた答えは、不純物濃度によって空乏層の厚みを変えている。つまり、なだれ降伏とツェナー降伏は空乏層の厚みの差で区別できる。なんですけど、足りない点とかありそうで・・・ おねがいします。

量子力学の教科書(シッフ)で勉強していたところ、 全角運動量の行列表現を求めていったら回転群O(3)がSU(2)の二価になってた。 …とここまではいいとして、いきなり「SU(2)はSU(3)の部分群である」 って述べられてSU(3)の数学的な性質云々の話に進んでるんですが、SU(3)が物理的に何を意味しているかが書かれてません。調べてみても求める答えが見つかりませんでした。 何を意味してるのか(どんな操作?)とか分かる方教えて下さい。

こんにちわ。初歩的な質問ですがお願いします。 私は大学の理学部生物学科の1年です。 高校で物理をやっていなかったので、全くもってわからず困っています。(物理実験は教職の免許を取る為にやむなくとっています) ダイオードの特性を調べる物理実験で、 「SiダイオードとGeダイオードのV-I特性曲線の違いを、バンドギャップの具体的な数値を用いて説明せよ」 というレポート課題が恥ずかしながら再提出になってしまいました。 pn接合についてはhttp://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/のpn接合に関するところを参考にしてレポートを書きましたが、特性曲線の違いまで説明が出来ません。 そもそもV-I特性曲線とバンドキャップはどう関係しているのでしょうか？ googleなどを調べましたが、私が理解できるような説明のものがなく、大学の図書館でも難しそうな本ばかりで、借りても使うことが出来ません。かといって今から物理をはじめからやるのは時間的にちょっと…。 どなたか上の課題について基本的なところを説明していただけませんでしょうか。理解するためのヒントになるようなものでかまいません。 どうかよろしくお願いします。

こんにちわ。初歩的な質問ですがお願いします。 私は大学の理学部生物学科の1年です。 高校で物理をやっていなかったので、全くもってわからず困っています。(物理実験は教職の免許を取る為にやむなくとっています) ダイオードの特性を調べる物理実験で、 「SiダイオードとGeダイオードのV-I特性曲線の違いを、バンドギャップの具体的な数値を用いて説明せよ」 というレポート課題が恥ずかしながら再提出になってしまいました。 pn接合についてはhttp://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/のpn接合に関するところを参考にしてレポートを書きましたが、特性曲線の違いまで説明が出来ません。 そもそもV-I特性曲線とバンドキャップはどう関係しているのでしょうか？ googleなどを調べましたが、私が理解できるような説明のものがなく、大学の図書館でも難しそうな本ばかりで、借りても使うことが出来ません。かといって今から物理をはじめからやるのは時間的にちょっと…。 どなたか上の課題について基本的なところを説明していただけませんでしょうか。理解するためのヒントになるようなものでかまいません。 どうかよろしくお願いします。

半導体を学んでいる者ですが、ブロッホ振動という言葉につまづきました^^;　ブロッホ振動って何ですか・・？ど素人なんで、詳しく教えてくださいお願いします・・・

太陽電池に関する質問です． 一般的な接合型太陽電池は，PN接合ですが， N層が受光面で，そのN層はP層とくらべて非常に薄くなっていますよね？ それはどうしてなんでしょうか？ 光が接合面まで吸収されるようになるためかなと思ったんですが・・・ でもそれだったらP層が受光面でも問題ないのでは・・・？と思います． すみませんがご回答お願いします． 一応，電子工学を専攻してますので大体の知識はありますので，難しい内容でもかまいません． よろしくお願いします．

Ｈ（ハミルトニアン）の固有状態はＵ(a)（並進演算子）の同時固有状態であることから、Blochの定理が示されると参考書に書いてありましたが、どのように説明できるのでしょうか？教えてください。

最近実験で行ったのですが、プラスチック光ファイバーの周波数特性についてです。オシロスコープから電気信号を流しにいれLDにいれ光に変換しプラスチックファイバーに流し、出口のフォトダイオードで再び電気信号に変換しオシロのインプットとアウトプットで差をとって減衰率を測るというものです。 電気信号を1～600MHzと変えていくのですが周波数が高くなるにつれて減衰が大きくなります。 なぜ周波数が高くなると減衰が大きくなるのでしょうか？

学校で使っている教科書に以下のような記述があります 光学顕微鏡において、可視光の波長より小さな物体の像を得ることはできない この根拠がわかる方いませんか？

論文翻訳をしていますが”Optical　Microavities"という研究対象が載っているのですが日本語ではなんというのでしょうか？専門知識のあるかた、どうか教えてください。おねがいします。