電気・電子工学

ポンプの省エネ効率を実測する方法について、アドバイスをお願いします。 素人ですが、付け刃程度に省エネを勉強しているものです。 職場のポンプの省エネ改善を検討するにあたって、現状運転しているポンプがどの程度の効率かを、実測して、省エネ方法を検討したいと考えています。 そこで、私の考えている効率測定・算出方法で、おかしな所がありましたら、ご指摘・アドバイスいただけたらと思います。 とあるポンプ（5.5KW、極数４)が一定の揚程・流量で運転しています。 出力側で幾分バルブが閉じていますが、その割合が分からないため、実測でどれくらいのロスがあり、結果としてどのくらいの効率（機械損含む）で運転しているかを、測定で出します。 Ｐ=√3・Ｖ・Ｉ・cosθ・η の公式から、ηが求める効率とします。 そこで (1)√3・Ｖ・Ｉ・cosθの実測・・・ポータブルのwh計（日置社製 電源ラインモニタ 3351）で、ポンプの電源測定 (2)Ｐの実測・・・ポータブルの流量計（ 富士電機製 ポータブル流量計 FSC-2）で、出力の流量測定。 ※但し Ｐは0.163QHから算出するとします。 質問１ 上記(2)で、揚程Ｈをそのように、測定（計算？）して出したらよいか分かりませんので、教えて欲しいです。 質問２ 私のこの考え方で、おかしな所があれば、ご指導いただきたいです。 以上 よろしくお願いします。

抵抗r１～r４に流れる電流の比が１:２:３:４で、r１～r４の抵抗値の合計が85［Ω］である。 各々の抵抗値を求めよ。 という問題です。 できるだけ分かりやすく教えてください。 お願いします。

図の回路において、スイッチSを開いた状態ではＶ０は10［Ｖ］であった。 次にスイッチSを閉じるとＶ０は４［Ｖ］となった。起電力Ｅは何［Ｖ］か。 またCは何［μＦ］か。 という問題です。 できるだけ分かりやすく教えてください。 お願いします。

半導体シリコンの赤外透過、反射、キャリア吸収に関して、文献あるいはURLを教えて下さい。文献は具体的な出展を教えて頂きたく(論文発表年度、掲載誌名、発表者名など)。 宜しくお願い致します。

現在、電気自動車で最も採用されている蓄電池はリチウムイオン電池でしょうか？

arduinoを使ってPWM制御をしています． PWMの電圧が5Vと低いので，もっと電圧を上げたいのですが，どんな回路なら可能でしょうか． パルスの位相は逆になっても構いません．

今晩は。Ｖ結線の２次側に単相負荷を接続するのと 逆Ｖ結線に単相負荷を接続するのとでは何が違うのでしょうか。

「３レベル電力変換装置（実際にはインバータ））」に関する翻訳をしておりましたら、「母線」と「ブス」という用語が出てきて、悩んでおります。「母線」はbus と訳しましたが、「ブス」の訳語が分かりません。「Ｐブス」「Ｎブス」「Ｃブス」などがあります。たとえば「コレクタ主端子はＰブスを介して正側端子Ｐ（Ｐ母線）に接続される」という表現があります。最初は「ブス」はbusのことかと考えましたが、母線（bus)とブスを使い分けているようですので、busとは異なるようです。英語では「ブス」はどのように表現するか、また、「ブス」は何のことか、教えていただければ幸いです。よろしくお願いします。

アナログ電子回路を勉強しています。 T型等価回路とπ型等価回路について、以下が分かりません。 (1)T型等価回路とπ型等価回路の違い T型とπ型は何が違うのですか？ 一瞬、π型はgmで制御できるのかと思いましたが、T型でもβib = gmvbe と変換できますよね(合ってますか？)。 容量のあるなしで低周波も高周波もT型で表せるのに、なぜπ型に変換する必要があるのでしょうか。 (2)π型等価回路はエミッタ接地回路以外にも使えますか？ コレクタ接地やベース接地にも適用できますか？ 「エミッタ接地高周波ハイブリッドπ型等価回路」などと参考書に記述されており、 エミッタ接地にしか適用できないのでしょうか。 T型までは順調に理解できていたのに、突然π型が登場して意味不明になってしまいました。 分かりやすく、かつ詳しく教えていただけると助かります。 よろしくお願いします。

MOSFETのバックゲート電圧を動的に制御することで 寄生ダイオードを等価的に消せるという認識は正しいのでしょうか？ 具体的には NchMOSFETで、ソース側に寄生ダイオードのアノード ドレイン側に寄生ダイオードのカソードとなるように等価回路を描いたとき NchMOSFETがOFF状態（ドレイン－ソース間に電流が流れていない状態）で バックゲート電圧を制御する事により、寄生ダイオードを等価回路から消す （NchMOSFETがOFF状態を維持したまま） というイメージです。 上記認識が正しいのであれば NchMOSFETがON状態で、ソースからドレイン方向に電流が流れ NchMOSFETがOFF状態になった際に 寄生ダイオードへの逆バイアスによるリカバリー電流を バックゲート電圧を制御する事でキャンセルできるのかが 最終的には知りたいです。 すみませんが、どなたかご教授願います。

電気基礎の問題について教えて下さい みなさん教えて下さい。 いま電気基礎の勉強をしていて、インバータ回路の計算で分からない問題があります。 みなさん解き方をおしえて貰えないでしょうか。 宜しく御願いします。 ＜問題＞ 添付図は他励式インバータ回路で、外部直流電源より直流リアクトルLを介してインバータに接続され インバータにより直流を交流に電力変換する回路。 指定の回路乗数において、インバータ制御角１５°のときと３０°のときの場合について、直流電流I（A) と変換電力P（ｋW)を計算せよ。 （条件） １．サイリスタ素子の順方向電圧降下Eaと回路各部の抵抗分は無視する ２．Ea=0、R=0で求めること ３．変換電力（kW)とは交流電源へ送出する有効電力のことであり、サイリスタ素子の順方向電圧降下と 回路各部の抵抗分を無視すれば、直流分の電力P=EIに等しい ４．インバータの制御角の制御により、直流電流・変換電力がどのようになるかの計算例である。 E1:外部直流電源の電圧、６００（V) E:変圧器直流巻線の電圧２６０（V) X:変圧器の１相分の里空くタンス０．０５（Ω） Ea：サイリスタ素子１個の電圧降下 P：変換電力

現在,FPGAとVerilogを用いて、モータの回転数をセンサでカウントする回路を作成しています。 countという名前のカウント回路を作成し、2つのセンサ(センサ1とセンサ2)があるため、count1,count2とインスタンスを2つ作成しています。 トップモジュールでは以下のように宣言しています。 count count1( .CLK( CLK), .SENSOR( SENSOR1), .COUNT_DIGI_0( COUNT_DIGI_20), .COUNT_DIGI_1( COUNT_DIGI_21), .COUNT_DIGI_2( COUNT_DIGI_22), ); count count2( .CLK( CLK), .SENSOR( SENSOR2), .COUNT_DIGI_0( COUNT_DIGI_0), .COUNT_DIGI_1( COUNT_DIGI_1), .COUNT_DIGI_2( COUNT_DIGI_2), ); countモジュール内では、SENSORが入力されると、カウント数が1upするだけです。 COUNT_DIGI_*は別の回路にカウント数を伝えるためにwireで接続しています。 最初に,センサ1をcount1に、センサ2をcount2に接続したところ、2つのカウント数に相違がでてしまいました。(count2のカウント数が多い) センサの配線が悪いと思い、センサ1の出力をcoun1とcount2に接続してテストしてもカウント数に相違がでてしまいました。 なぜ、同じモジュールを使用し、入力も同じなのに、結果に違いが出るのでしょうか? FPGAの特性などがあるのでしょうか? お分かりになられる方がいらっしゃいましたら宜しくご教授お願い致します。

CR応答回路から振幅が1/eに低下する時間を時定数（τ）と定義しているが、 １．CRとなることを示せ。 ２．任意の2点間の時間がτであれば、その2点間の振幅値は1/eの関係にあることを示せ。 ３．τ=CRの単位が時間（秒）になることを示せ。 この問題がネットで調べまわってもなく、わかりません。 よろしくお願いします。

（１）3/2、（２）7：4：2：3、ではいかと思うのですが、合ってますか。

電子工作初心者です。 pnpトランジスタとＣdsをつかって暗くなったらLEDを電灯させる回路を組んでいます。 通販ミスでnpnではなくpnpを買いました。 調べてみるとpnpもスイッチングに使えるとのことなので、調べて、ブレットボードで試してみましたが、動かせませんでした。 ベースに流れる電圧をエミッタ電圧より０、６ボルト低いとスイッチがオンになると書いてあったので、エミッタに６ボルト、ベースに０ボルトにすればいいと考え、コレクタ側ににLEDを繋げたところ、電灯しませんでした。 助けてください(泣)

一般に三相２００VのKWを計算する時 KW=KVA×（力率８０％）で計算します又、KWに１．２５倍してKVAに換算しますが、 すべて力率８０.％での計算です。 ８０％で計算する根拠を教えてください。

電線の環境温度範囲について質問します。 電線のカタログを見ると、使用可能環境温度関係では耐熱温度で60℃、105℃が明記されている物がほとんどの様です。 0℃以下のことについて記載されている箇所を見つけられないでいるのですが、使用可能環境温度は0℃以下は使えて当然と言うモノなのですか？ 私の考えでは電線を動かす場合と静止させる場合で、0℃以下でも断線等の結果に違いが出て来ると思うのですが....。

mosfetのスペックについて分からないことがあります。 スイッチをmosfetを使ってつくりたいと考えているのですが、安全動作領域で分からないことがあります。使おうとしているmosfetは型番２ＳＫ３６２８で定格230V20Aとなっています。mosfetには200V、８A程度に耐えられれば良いのでこの型番にしようと考えたのですが、安全動作領域をみるとドレインソース間電圧が200Vでは、ドレイン電流は1Aも流せないようになっています。このスペックはどういう風に理解すれば良いのでしょうか。 初歩的な質問で申し訳ありませんが、ご回答のほどよろしくお願いします。

職場でシマテックの同軸照明を使用しています。 型式はHSL-575Wです。 この製品の消費電力を知りたいのですが、メーカーのサイトを見ても最大推奨電流1.44Aっていう情報しか載ってないのですがどうやったら分かりますか？ ちなみに電源は100Vです。宜しくお願いします。

太陽電池のIVカーブを測定をする際に、デジタル式テスターを2つと可変抵抗用い、テスターの一つを電流計、もう一つを電圧計とみなして回路を組もうと考えています。この時、アナログメータ式の電流計と電圧を用いた場合と比べて測定上何か問題となることがあるでしょうか。ちなみにテスターで測った短絡電流Isc、開放電圧Vocはそれぞれ、Isc=2mA、Voc=70mV程度でした。また、予算の関係上ソーラーシミュレータを用いた測定は考えておりません。